目前，碳化硅單晶切割技術(shù)耗時長且損耗大，激光切割被賦予厚望。而最近，有2個家企業(yè)將碳化硅激光項目的建設(shè)提上日程了。
晟光硅研
或建SiC/GaN激光加工中心
11月9日，“晟光硅研”發(fā)文稱，他們已經(jīng)與空港集團，就落地建設(shè)微射流激光加工中心事宜進行了深入交流和探討。
晟光硅研總經(jīng)理楊森介紹道，他們所掌握的微射流激光技術(shù)自主可控，不僅能夠完成碳化硅晶錠的滾圓、切片和劃片，還能進行氮化鎵晶體、超寬禁帶半導體材料、航空航天特種材料、陶瓷復合材料、閃爍晶體等硬、脆、貴材料的加工。
目前，晟光硅研已參編《2022碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，微射流激光技術(shù)將為SiC襯底企業(yè)帶來哪些幫助？屆時白皮書將深入詳細介紹。
同時，爍科晶體、飛锃半導體、中電化合物、國星光電、合盛硅業(yè)、安海半導體、森國科、北方華創(chuàng)、恒普科技、華卓精科、優(yōu)晶光電、嵐鯨光電、智立方和聯(lián)合精密等企業(yè)也已參編。
橫濱半導體
將建SiC激光加工基地
據(jù)日媒“長崎新聞”報道，11月8日，日本半導體檢測設(shè)備公司Interaction宣布，他們將在長崎市設(shè)立一個激光加工開發(fā)基地，用于加強開發(fā)碳化硅材料的新加工解決方案，計劃于2023年3月開業(yè)。
報道稱，長崎開發(fā)中心在開發(fā)檢測設(shè)備的同時，將負責研發(fā)SiC半導體材料的加工技術(shù)。
資料顯示，橫濱半導體成立于1992年。根據(jù)公告，自2021年8月起，他們就與長崎大學共同研究SiC材料加工。
在這項研究和開發(fā)中，雙方將通過開發(fā)一種新的SiC激光加工方法，幫助功率半導體行業(yè)更高效地采用SiC材料。
插播：12月15日，行家說將在深圳舉辦“全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”，了解更多有關(guān)碳化硅等前沿技術(shù)話題，可以掃描下方二維碼：
