7月7日，據《日本經濟新聞》及韓聯社報道，三菱化學集團與日本制鋼所株式會社（JSW）計劃大幅增加氮化鎵襯底產能。按規劃，到2027年，其GaN產能將比2026年水平提高50%。
事實上，兩家公司的擴產步伐已在持續加快。今年4月，三菱化學與JSW已將襯底及籽晶的產能提升至2021年度的2倍。在此基礎上，雙方計劃于2027年4月進一步將產能擴增至2021年度的3倍。
為落實上述擴產目標，相關設施升級工作已提上日程。據悉，雙方將擴建JSW北海道室蘭工廠內的襯底生產設施，同時為三菱化學位于茨城縣的工廠增設相關加工設備。
在產品端，兩家公司目前均使用4英寸襯底進行客戶評估。順應半導體襯底大尺寸化的行業趨勢，雙方計劃于今年開始向市場供應6英寸襯底樣品，并力爭在2028年推進至8英寸襯底的樣品供應。
《日本經濟新聞》指出，鑒于中國企業近期正不斷加快對氮化鎵市場的滲透步伐，三菱化學與JSW意圖通過先發制人的產能布局與技術迭代，搶奪早期市場先機，從而占據行業領先地位。
在生產協作模式方面，三菱化學主要負責技術研發和原料供應等；氮化鎵襯底生產將委托給JSW的室蘭工廠。
據三菱化學透露，與傳統方法相比，預計SCAAT?-LP”的氮化鎵襯底生產成本最多可降至10分之1左右。而且SCAAT?-LP技術能夠制備高質量、高透明度的GaN單晶襯底，其晶體缺陷極少（僅為傳統產品的1/100至1/1000）。
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本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。
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