復旦北大聯合孵化，光擎源獲數千萬Micro LED光互連融資

近日，光擎源（上海）科技有限公司（全球品牌名 Nexilumen）宣布完成數千萬元種子輪融資，本輪融資由復旦科創與復容投資聯合投資。此次融資將主要用于核心技術研發、產品迭代及產業化推進，加快新一代Micro LED光互連技術落地。

公開資料顯示，光擎源由復旦大學田朋飛教授團隊與北京大學沈波教授團隊聯合孵化成立，專注于Micro LED光互連技術研發，致力于面向AI算力、數據中心、高性能計算等領域提供高速、低功耗的光互連解決方案。

公司技術源于團隊此前發表于《Nature Communications（自然·通訊）》的研究成果。該研究提出了一種基于金剛石襯底的長波長InGaN Micro LED光互連平臺，將長波長InGaN Micro LED器件、金剛石異質集成、轉移印刷以及光通信技術融合為統一技術體系，為下一代高速光互連提供了新的技術路線。

近年來，隨著AI大模型訓練和高性能計算持續發展，芯片之間的數據傳輸需求快速增長，傳統電互連逐漸成為系統性能和功耗提升的瓶頸。相比之下，Micro LED憑借無閾值工作、器件電容小、CMOS工藝兼容性好以及易于二維陣列集成等特點，被認為是構建高密度光互連的重要光源。

不過，過去高速Micro LED光互連研究主要集中于藍光和綠光器件，而更適合短距離光通信的黃光、紅光InGaN Micro LED，由于高銦組分帶來的晶格失配和極化效應，長期難以兼顧發光效率與高速調制性能，其調制帶寬通常僅為數百MHz。

針對這一難題，光擎源團隊采用超晶格應變釋放層和三周期量子阱外延結構設計，在硅襯底上實現高質量長波長InGaN外延生長；隨后通過轉移印刷工藝，將Micro LED芯片集成至高熱導率金剛石襯底，并結合雙光子微透鏡制造技術，提高光纖耦合效率，同時降低器件發散角和熱阻。

實驗結果顯示，尺寸僅20μm的黃光Micro LED在電流密度6.25 A/cm2條件下，實現了2850.4 MHz的電光調制帶寬，刷新了全球同等電流密度條件下Micro LED調制帶寬紀錄。同時，器件在1.5 Gbps通信速率下，發射端能耗僅0.056 pJ/bit，達到目前公開報道Micro LED光互連系統中的最低功耗水平。

值得關注的是，金剛石襯底優異的導熱性能顯著改善了器件散熱能力。測試結果表明，相較傳統玻璃襯底，采用金剛石襯底后，器件溫升僅為其2%至8%，有效緩解了高速運行過程中因熱積累導致的性能衰減問題，為高速、穩定運行提供了重要保障。

目前，光擎源團隊正進一步推進CMOS驅動電路與Micro LED陣列的單片集成及異質集成，計劃構建1.6 Tbps級光互連系統樣機，未來有望應用于AI算力集群中的共封裝光學（CPO）以及芯片間光I/O等關鍵場景，為國產高速光互連技術產業化提供新的技術支撐。