獲國際頭部客戶認可！鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)氧化鎵襯底穩(wěn)定供貨

近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司宣布，公司自主研發(fā)生產(chǎn)的高質(zhì)量氧化鎵襯底已實現(xiàn)向德國氧化鎵外延企業(yè)NextGO.Epi穩(wěn)定批量供貨，雙方合作正式進入長期采購階段。這意味著國產(chǎn)氧化鎵襯底在產(chǎn)品性能、質(zhì)量一致性以及規(guī)模化交付能力方面，已獲得國際頭部客戶認可，也標志著我國氧化鎵材料產(chǎn)業(yè)化邁出重要一步。

據(jù)了解，雙方合作始于2025年5月簽署的全球戰(zhàn)略合作協(xié)議。過去一年中，鎵仁半導(dǎo)體提供的襯底產(chǎn)品經(jīng)過NextGO.Epi多輪性能測試、外延生長驗證及工藝適配評估，最終憑借穩(wěn)定的產(chǎn)品品質(zhì)和持續(xù)供貨能力，成為其長期合作供應(yīng)商。

作為歐洲專注于氧化鎵外延材料研發(fā)的企業(yè)，NextGO.Epi長期服務(wù)于歐洲科研機構(gòu)及器件研發(fā)團隊，在氧化鎵外延工藝和功率器件開發(fā)領(lǐng)域擁有豐富技術(shù)積累，對襯底材料的晶體質(zhì)量、批次一致性及供應(yīng)穩(wěn)定性均有較高要求。

目前，國際氧化鎵襯底主要采用日本企業(yè)主導(dǎo)的導(dǎo)模法（Edge-defined Film-fed Growth，EFG）生長工藝。雖然該技術(shù)相對成熟，但高度依賴貴金屬銥坩堝，不僅制造成本較高，也限制了產(chǎn)能擴張，并帶來供貨周期長、價格波動等問題。

針對這一行業(yè)痛點，鎵仁半導(dǎo)體自主開發(fā)了氧化鎵晶體鑄造法生長技術(shù)，形成了一條不同于傳統(tǒng)導(dǎo)模法的技術(shù)路線。相比傳統(tǒng)工藝，該方法顯著降低了銥材料使用量，有效控制生產(chǎn)成本，同時晶體生長效率提升至傳統(tǒng)導(dǎo)模法的10倍以上，可實現(xiàn)超厚晶體生長，提高單個晶錠的出片數(shù)量，為氧化鎵襯底的大規(guī)模制造提供了新的解決方案。

性能測試結(jié)果顯示，鎵仁半導(dǎo)體生產(chǎn)的氧化鎵襯底XRD搖擺曲線半高寬（FWHM）小于90 arcsec，體現(xiàn)出較高的晶體質(zhì)量。

在外延驗證方面，NextGO.Epi基于該襯底生長了厚度約450 nm的氧化鎵外延層。其中，（100）晶面在載流子濃度4×101? cm?3條件下，電子遷移率達到140 cm2/V·s；（010）晶面在載流子濃度5×101? cm?3條件下，電子遷移率達到135 cm2/V·s，外延材料整體表現(xiàn)穩(wěn)定，綜合性能優(yōu)于同類產(chǎn)品?；谠撏庋悠_發(fā)的功率器件，有望實現(xiàn)更高擊穿電壓、更低導(dǎo)通損耗，為下一代高壓、高效率功率電子器件奠定材料基礎(chǔ)。

鎵仁半導(dǎo)體表示，公司目前已建立覆蓋設(shè)備研發(fā)、晶體生長、襯底加工和外延材料的全流程自主可控技術(shù)體系，通過全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，有效保障了產(chǎn)品批次間的一致性和穩(wěn)定交付能力，這也是獲得國際客戶持續(xù)認可的重要原因。

近年來，氧化鎵憑借約4.8 eV的超寬禁帶寬度以及高擊穿電場等優(yōu)勢，被認為是新一代超寬禁帶半導(dǎo)體的重要代表材料，在高壓電力電子、軌道交通、新能源汽車、電網(wǎng)裝備等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。隨著我國將氧化鎵、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體列入“十五五”重點發(fā)展方向，產(chǎn)業(yè)鏈正逐步由科研驗證邁向工程化和規(guī)?；圃?。

此次實現(xiàn)向歐洲頭部企業(yè)穩(wěn)定批量供貨，不僅驗證了國產(chǎn)氧化鎵襯底技術(shù)路線的可行性，也進一步提升了我國企業(yè)在全球氧化鎵材料供應(yīng)鏈中的競爭力。未來，鎵仁半導(dǎo)體表示，將繼續(xù)深化與NextGO.Epi等國際合作伙伴的協(xié)同研發(fā)，加快推動氧化鎵材料及器件產(chǎn)業(yè)化進程，為全球超寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供更多中國方案。