集邦咨詢最新研究判斷，2027年存儲器市場會走出兩條完全不同的路，內存芯片DRAM會繼續緊缺，價格偏強，閃存芯片NAND則會轉向寬松，價格面臨下調壓力。
先說DRAM為什么一直缺，雖然各大原廠已經提前擴產，但新廠大多要等到2027年下半年才能投片，再加上建廠、搬設備、備物料這些前期工作，真正明顯放量得拖到2028年。
還有一個更關鍵的原因，HBM高帶寬內存生產時耗費的晶圓，比普通DRAM多得多，所以就算晶圓投片量增加了，也換不來等量的有效產出。
需求端又在全面擴張，北美云廠商不斷加碼資本支出，英特爾和AMD的新CPU平臺加速出貨，智能體AI也開始商業化，再疊加單機HBM容量提升、SOCAMM新內存規格導入，集邦預計2027年全球服務器出貨量的年增幅，會超過2026年的17%。
此消彼長之下，DRAM的供需缺口越拉越大，2026年供需比還在負1%到負2%之間，2027年需求增速超過供給，缺口會進一步擴大。
集邦預估圖顯示，服務器占DRAM位元需求的比重，將從2026年的42.2%升到2027年的43.7%。
消費端就沒這么好運了，手機、筆記本廠商把零部件漲價轉嫁給消費者，整機售價跟著上調，打擊了換機意愿，集邦預計，2027年消費類產品的出貨會繼續下滑。
NAND的情況正好相反，2026年原廠主要靠升級制程來增加供給，還提高了企業級固態硬盤的占比，來對沖消費端的疲軟。
到了2027年，隨著高層數產品升級和新廠產能釋放，位元供給的增長會超過2026年。
需求這邊，大容量高速的QLC企業級SSD是主力，云廠商和企業采購強勁，服務器占NAND位元需求的比重將從44.2%跳升到51.1%，但消費電子依舊偏弱。
集邦判斷，2027年NAND的供需比將轉為正值，格局轉向寬松，除非智能體AI普及取得突破、重新拉動高速SSD需求，否則價格大概率要往下走。
NAND市場等待AI拉動需求，機械硬盤這邊卻早已被AI“買爆”。兩者看似矛盾，實則都指向同一個結論——AI對存儲的需求正在從“量”向“質”分化。
希捷科技近日發布2026財年第四季度財報，CEO戴夫·莫斯利在電話會議上透露，公司近線硬盤產能已在2026年底前被預訂一空，部分大客戶甚至已提前鎖定2029年的供應名額。
這一輪硬盤供需失衡的核心原因是AI對上游產能的擠壓，由于一臺AI服務器所需的內存容量是普通服務器的8到10倍，且HBM芯片占用的晶圓面積極大，導致上游廠商將絕大部分先進制程產能轉向HBM生產。
這直接擠壓了通用型DRAM內存和NAND閃存的供應，使得數據中心不得不依賴機械硬盤（HDD）作為核心承載方案。
而希捷、西部數據和東芝三家巨頭目前控制著全球約80%的機械硬盤產能，在經歷了上一輪行業下行周期后，硬盤廠商表現出了極強的產業紀律，即寧愿維持出貨量穩定，也不盲目擴產。
希捷當前的策略是依靠HAMR（熱輔助磁記錄）技術提升單盤面密度，以此獲取更高的單TB利潤。希捷CFO更是坦言，此前部分老客戶享有的優惠定價協議正在失效，新訂單將全面執行更高階梯的售價。
當前市場上，近線硬盤的價格約為每TB 15美元（約109元人民幣），但據摩根士丹利等多家機構調研顯示，廠商的目標價已錨定在每TB 30美元（約218元人民幣）左右。
據深圳華強北數據顯示，1TB固態硬盤價格已從去年約410元漲至950元，32GB DDR5內存甚至漲至3800元左右，這種結構性轉變預計將延續至2028年，短期內存儲產品降價的可能性微乎其微。
現貨市場一貨難求、價格飛漲，根源恰恰掌握在少數幾家巨頭手中。三星電子最新的產能分配策略，或許能解釋這一切為何發生。
三星電子在今日的二季度財報電話會上放話：計劃把總產能的六到七成通過長期供貨協議（LTA）供應給客戶，目前已和五大全球數據中心客戶簽約，還有五家AI相關大客戶在最終談判。
這五大客戶被業界解讀為亞馬遜AWS、微軟、谷歌云、Meta和Oracle，正好是全球頭部科技巨頭。
所謂長期供貨協議（LTA），就是把未來幾年的內存產能提前鎖定給買家，搶在AI需求爆發前卡位。
為防客戶中途跑單，三星下了狠手，合同一簽就是五年，還用滾動續約機制每年疊加年限，并附帶大額多年預付金（相當于定金），三星透露，預付金約四分之一已經到賬，隨新合同落定還會繼續增加。
這波操作正對高盛的判斷，高盛在29日的會議紀要里分析，AI服務器需求同時推高傳統DRAM和高帶寬內存（HBM）價格，傳統DRAM三季度環比將雙位數上漲，四季度可能再來一輪雙位數。
HBM更猛，高盛預計三星HBM平均售價2027年同比暴漲87%，遠超彭博共識的52%。
高盛點名LTA的約束力是HBM漲價的核心推手，現有合同里有預付金、照付不議條款和違約金，客戶想走不容易，目前全球服務器DRAM供應一半以上已被長約鎖死，比例還在上升。
至于中國內存廠商的激進擴產，專家認為近期威脅不大，理由是良率和技術仍明顯落后于三星和SK海力士，還有HBM比等量DRAM耗更多晶圓，產能增加不等于有效供應增加，這從結構上托住了內存價格。
三星對HBM信心十足，HBM4（第六代）下半年放量，三季度HBM4營收環比增超三倍，下半年占HBM總營收超60%，目標把HBM市占率追到DRAM的水平（約38%）。
