2026年7月16日（今日）10:00-11:50，EETC聯(lián)合Wolfspeed舉辦“碳化硅技術(shù)設(shè)計(jì)者指南·工業(yè)專場(chǎng)”線上研討會(huì)。屆時(shí)，四位來自Wolfspeed的原廠技術(shù)專家將圍繞固態(tài)變壓器、AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)及高壓儲(chǔ)能系統(tǒng)等熱點(diǎn)話題，分享前沿技術(shù)成果與實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。
演講嘉賓：陳秋明｜Wolfspeed現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程高級(jí)經(jīng)理
擁有逾15年電源及應(yīng)用工程經(jīng)驗(yàn)，長期負(fù)責(zé)中國區(qū)SiC技術(shù)推廣與客戶支持，覆蓋數(shù)據(jù)中心、光伏儲(chǔ)能、充電樁及新能源汽車等領(lǐng)域。
精彩看點(diǎn)：
碳化硅技術(shù)在電氣化進(jìn)程中的核心驅(qū)動(dòng)作用
從光伏、風(fēng)電到智能電網(wǎng)與交通運(yùn)輸，SiC如何突破傳統(tǒng)硅基器件的性能邊界
演講嘉賓：杜烊銘 博士｜Wolfspeed主任應(yīng)用工程師
英國謝菲爾德大學(xué)功率半導(dǎo)體博士，專注寬禁帶功率器件研究，現(xiàn)負(fù)責(zé)SiC產(chǎn)品應(yīng)用開發(fā)與大中華區(qū)客戶技術(shù)支持。
固態(tài)變壓器架構(gòu)對(duì)可再生能源、配電及數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)的價(jià)值
基于實(shí)驗(yàn)測(cè)量數(shù)據(jù)的1.2kV~3.3kV SiC MOSFET在SST應(yīng)用中的性能對(duì)比
高阻斷電壓與系統(tǒng)靈活性之間的設(shè)計(jì)權(quán)衡分析
演講嘉賓：張富林｜Wolfspeed資深應(yīng)用工程師
近15年電源研發(fā)與功率半導(dǎo)體應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)，深耕服務(wù)器電源、充電樁、OBC及空調(diào)壓縮機(jī)等場(chǎng)景的SiC方案落地。
精彩看點(diǎn)：
AI工作負(fù)載驅(qū)動(dòng)下數(shù)據(jù)中心功率密度提升帶來的供電架構(gòu)挑戰(zhàn)
Wolfspeed Gen 4 SiC與Q-TSC封裝技術(shù)（高爬電距離、低寄生電感、薄型結(jié)構(gòu)）的性能優(yōu)勢(shì)
面向100kW+機(jī)架功率需求的高效功率變換方案
演講嘉賓：陸立文｜Wolfspeed資深應(yīng)用工程師
15年電力電子行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，熟悉SiC/IGBT模塊在光伏逆變、工業(yè)變頻、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及固態(tài)變壓器等領(lǐng)域的應(yīng)用。
精彩看點(diǎn)：
高壓SiC MOSFET在可再生能源與儲(chǔ)能系統(tǒng)中的技術(shù)演進(jìn)路徑
1200V~3300V功率模塊產(chǎn)品組合如何提升系統(tǒng)效率、功率密度與可靠性
報(bào)名即贈(zèng)《第三代半導(dǎo)體SiC器件知識(shí)圖譜》（報(bào)名后即可在頁面下方下載），講透SiC與Si的根本區(qū)別、MOSFET導(dǎo)通電阻、高溫特性、制備工藝與應(yīng)用場(chǎng)景。
直播期間參與互動(dòng)抽獎(jiǎng)，獎(jiǎng)品包括：小米手環(huán)10、勝利智能萬用表、羅技M220靜音鼠標(biāo)、綠林家用工具箱、綠林電烙鐵套裝等
溫馨提示： 7月17日汽車專場(chǎng)（EV牽引逆變器、頂部散熱TSC封裝、800V電池?cái)嗦穯卧軜?gòu)）亦已開放報(bào)名，建議兩場(chǎng)共同關(guān)注，全面了解Wolfspeed碳化硅技術(shù)在不同應(yīng)用領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
