近日，國際頭部SiC晶圓生廠商Coherent（高意）采用創銳光譜SiC無損檢測、XRT（X-Ray Topography）、時間分辨熒光（TRPL）等多種技術在SiC襯底、外延和器件的缺陷研究中取得新進展！在SiC襯底位錯缺陷研究中，Coherent研究者采用創銳光譜光學無損檢測技術（創銳光譜Dispec-9000設備）對SiC襯底中的TSD、BPD等關鍵位錯缺陷進行了檢測分析。通過與XRT結果對比發現，Dispec-9000的檢測結果無論在統計數字（Figure 1）和晶圓缺陷分布（Figure 2）上均與XRT結果高度一致。其中BPD缺陷與XRT結果的相關性系數R2（擬合性）高達0.923。圖1 新型光學無損泵浦探測技術（Dispec-9000）與 XRT 檢測結果對比（數據來源：Lee et al., Defect and Diffusion Forum, 2026）
圖2 新型光學無損泵浦探測技術（Dispec-9000）與 XRT 晶圓缺陷分布結果對比（數據來源：Lee et al., Defect and Diffusion Forum, 2026）
XRT是相關晶格缺陷檢測領域公認的“金方法”，上述比對結果則證明了Dispec 9000的新型光學檢測方法可以對SiC晶格位錯進行精準的檢測和識別。Coherent的研究工作者經過批量檢測的驗證，對創銳光譜光學無損檢測技術的準確性、檢測速度、重復性和可靠性等關鍵性能均給予了充分肯定：“Results from a beta version of this tool（Dispec-9000）were correlated with the X-ray topography (XRT) measurements. A large dataset of wafers was used for this study and tool reproducibility, and repeatability was verified. The optical approach is also faster compared to XRT and can detect TEDs as well.”
該研究論文結果表明Dispec-9000在SiC襯底位錯檢測領域具有巨大的工業應用價值！創銳光譜可提供全面的SiC襯底缺陷檢測方案。針對SiC襯底缺陷檢測，“Dispec-9000”兼具無損、快速、全片掃描三大優勢，可以全面檢出BPD、TED及TSD。在高效助力產線端進行快速的缺陷篩查與批量品控的同時，為從襯底到外延層的缺陷演化追蹤及機理研究提供了有力的技術支撐。
針對SiC外延缺陷檢測領域，創銳光譜也推出了晶圓少子壽命成像檢測設備，該設備可以區分表面和體相，也可以支持5um-200um不同厚度的外延檢測；同時還可以支持真空、氮氣、變溫等不同條件下的少子壽命檢測。該設備的推出為快速判斷SiC襯底和外延質量提供又一輔助手段。
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【原文鏈接：https://doi.org/10.4028/p-w9w53Z 】
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