SemiAnalysis：海思麒麟9030及其N+3制造工藝深度逆向工程分析報告

智能計算芯世界 2026-07-26 11:23

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6月15日，半導體行業權威技術分析機構SemiAnalysis發布了其拆解工程實驗室（STEEL）的公開報告，對華為最新旗艦芯片麒麟9030及其N+3制造工藝進行了深度逆向工程分析。

本報告將詳細介紹我們對麒麟 9030 的拆解以及我們對中國最先進的中芯國際 N+3 工藝的發現。作為對比，我們將展示對采用臺積電 N6 工藝制造的聯發科 Helio G99 的拆解。通過這種比較，我們可以看到出口管制的影響 —— 中芯國際 N+3 和臺積電 N6 是可比節點，但一個受到嚴格的出口管制，另一個則可以自由使用西方最先進的設備。

以下是我們實驗室的第一張公開圖片，海思麒麟 9030 Pro SoC：

海思麒麟 9030 芯片標注圖。來源：SemiAnalysis

在這里，我們既看到了中國的進步，也看到了其限制。中芯國際 N+3 達到了臺積電 N6 級別的邏輯密度，但它需要更激進的 DUV 多重圖案化，因此在工藝成熟度或成本方面無法與 N6 相媲美。麒麟 9030 Pro 的性能與三年前的安卓旗艦相當，遠遠落后于蘋果、高通、聯發科和三星當前的旗艦 SoC。效率差距更大。

出口管制并沒有阻止華為和中芯國際出貨先進硅片，但它們迫使了一條不同的道路。沒有 EUV，中芯國際更加依賴 DUV 多重圖案化、DTCO 和日益復雜的集成。路線圖通過更嚴格的設計規則和背面供電繼續推進，但每一步都增加了成本和工藝風險。華為的 τ 縮放和 LogicFolding 展示了另一條路徑：堆疊有源邏輯并通過先進封裝和系統 - 技術協同優化（STCO）恢復密度。