
近日,北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“銘鎵半導(dǎo)體”)完成Pre-B1輪與Pre-B2輪融資,累計(jì)融資金額超過(guò)1.5億元。此次融資資金將主要用于磷化銦(InP)多晶材料產(chǎn)能擴(kuò)張、氧化鎵中試產(chǎn)線建設(shè)以及上市籌備等工作。
銘鎵半導(dǎo)體于2020年11月入駐中關(guān)村(順義)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園,是一家聚焦第三代、第四代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司目前重點(diǎn)布局磷化銦多晶材料與氧化鎵材料,其中磷化銦多晶材料是其核心業(yè)務(wù)之一,目標(biāo)是推動(dòng)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化替代。

近年來(lái),隨著光通信、新能源、高端裝備、功率電子等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)于高性能半導(dǎo)體材料的需求持續(xù)增長(zhǎng)。磷化銦作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的光電性能,是光通信、激光器、光電探測(cè)器等領(lǐng)域的重要基礎(chǔ)材料;氧化鎵則憑借超寬禁帶特性,被視為下一代功率半導(dǎo)體材料的重要候選之一。兩類材料均處于產(chǎn)業(yè)持續(xù)推進(jìn)和國(guó)產(chǎn)化加速的關(guān)鍵階段。
據(jù)介紹,經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累,銘鎵半導(dǎo)體已突破多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù),相關(guān)產(chǎn)品已應(yīng)用于新能源、高端裝備、功率電子、光通信等領(lǐng)域,并進(jìn)入部分頭部企業(yè)供應(yīng)鏈。目前,公司在手訂單已排產(chǎn)至2027年底,市場(chǎng)需求與現(xiàn)有產(chǎn)能之間存在較為明顯的缺口。
此次融資完成后,銘鎵半導(dǎo)體將進(jìn)一步推進(jìn)磷化銦多晶材料擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,計(jì)劃將現(xiàn)有產(chǎn)能提升約200%,以進(jìn)一步提升客戶交付能力。若擴(kuò)產(chǎn)順利落地,公司在磷化銦多晶材料領(lǐng)域的規(guī)模化供應(yīng)能力有望進(jìn)一步增強(qiáng),同時(shí)也將為國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈提供更加穩(wěn)定的材料供應(yīng)。
從產(chǎn)業(yè)發(fā)展角度來(lái)看,磷化銦多晶材料雖然處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游,但其質(zhì)量與供應(yīng)穩(wěn)定性直接關(guān)系到后續(xù)單晶生長(zhǎng)、晶圓制造以及光電器件等環(huán)節(jié)。隨著國(guó)內(nèi)光通信、數(shù)據(jù)中心、新能源等市場(chǎng)持續(xù)發(fā)展,對(duì)上游關(guān)鍵材料的自主供應(yīng)能力提出了更高要求。在此背景下,銘鎵半導(dǎo)體此次擴(kuò)產(chǎn)不僅是企業(yè)自身產(chǎn)能提升,也有望進(jìn)一步推動(dòng)磷化銦關(guān)鍵材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。
與此同時(shí),公司同步推進(jìn)氧化鎵中試產(chǎn)線建設(shè),意味著其業(yè)務(wù)布局正從磷化銦材料進(jìn)一步向第四代半導(dǎo)體材料延伸。未來(lái),隨著產(chǎn)能擴(kuò)張、中試線建設(shè)以及資本市場(chǎng)籌備工作的推進(jìn),銘鎵半導(dǎo)體有望進(jìn)一步完善其在新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化布局。
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