據美國銀行最新分析報告，韓國總統李在明高調宣布的“2030年產能翻倍”目標面臨著嚴峻的現實考驗。
6月底，李在明宣布了一項規模高達800兆韓元的大型投資計劃，要在韓國西南沿海的光州、全羅地帶打造“存儲新聚落”，目標是在2030年讓三星與SK海力士的DRAM晶圓產能翻倍。
三星與SK海力士合計掌握全球過半DRAM市占率，在HBM領域更超過八成，美光7月初也宣布斥資93億美元在日本擴產HBM，預計兩年后出貨。
消息一出，市場擔憂供過于求導致價格崩跌，全球存儲類股應聲暴跌，美光單周下跌15%，鎧俠跌去一成，閃迪市值蒸發近兩成。
然而美國銀行在最新報告中指出，要評估韓國存儲芯片供給能否實質增加仍為時過早，2030年產能翻倍聽起來驚人，但拉長時間軸來看僅代表每年約15%的年復合增長率。
扣除舊廠因技術升級關閉以及制程微縮導致的產能減損后，實際運轉的晶圓產能擴張率每年將低于10%，到2030年的增長遠不及翻倍水平。
供應鏈更傳出，SK海力士2028年實際新增的產能可能只有最初規劃的六分之一。
另一方面還有物理限制，一位中國臺灣存儲芯片業者指出，光州和全羅目前的產業結構是石化與鋼鐵園區，基礎設施從零開始布建，光打底就要五年左右，后續潔凈室和機臺安裝還需三到四年，整個制造生態鏈建起來恐怕超過十年。
有資深產業分析師直言，該計劃在李在明任期屆滿前難以完成，目前宣示意義大于實質。
不過根據分析機構Citrini Research發布的最新數據，該公司正迅速崛起為全球DRAM市場的有力競爭者，其制造規模已足以與行業巨頭美光同臺較量。
據預測，若當前所有擴產項目按計劃如期完成，到2026年底，長鑫存儲的DRAM晶圓月產能將達到約35萬片。
作為對比，全球三大DRAM廠商之一的美光，在同期完成預期擴產后，月產量預計約為37.5萬片。對一家近年來為滿足國內需求而快速成長的新興企業而言，如此規模實屬罕見。
報告還揭示了一個數據：長鑫存儲在潔凈室建設上的速度遠超行業平均水平，其建設周期僅需約12個月，而全球其他主要DRAM制造商通常需要21至24個月。
盡管受美國制裁影響，長鑫存儲無法獲取先進的極紫外（EUV）光刻設備，但公司通過深紫外（DUV）光刻技術與多重曝光工藝的組合，成功實現技術突圍。
目前，長鑫存儲已開始出貨基于G4節點的16 Gb DDR5芯片，運行速率達8000 MT/s，芯片面積較上一代縮減20%。同時，24Gb模組和LPDDR5X-10667等高端產品也已進入量產階段。
產品層面，微星宣布其Intel 800系列主板已全面優化支持基于長鑫存儲DRAM顆粒的DDR5內存，經過專用BIOS內存調校后，Z890主板可穩定運行DDR5-8000以上頻率，覆蓋從旗艦超頻主板到主流四內存插槽主板的全產品線。
長鑫DDR5內存近年來迅速獲得市場認可，不過此前頻率上限一直落后于三星、SK海力士等成熟廠商。
但這一差距更多取決于主板固件對顆粒的理解程度，而非顆粒本身的體質，為此微星針對長鑫內存顆粒開發了專用的內存訓練和時序優化方案，并通過嚴格壓力測試驗證結果。
具體驗證成績方面，MEG Z890 UNIFY-X（雙內存插槽）搭配Intel酷睿Ultra 5 245K處理器和兩根24GB長鑫DDR5內存（共48GB），在DDR5-8600、時序46-56-56-134下通過MemTest壓力測試，覆蓋率超過100%且持續穩定運行。
PRO Z890-S WIFI（四內存插槽）搭配酷睿Ultra 5 250K Plus和兩根16GB長鑫DDR5內存，在DDR5-8200、時序44-56-56-132下同樣通過測試。
此次Intel平臺的突破也補全了微星在AMD平臺上的布局，此前微星已成為首個公開打破長鑫DDR5內存DDR5-6800頻率上限的主板品牌。目前雙平臺優化均已到位，用戶可在微星主板上獲得一致的長鑫內存高頻支持。
這些優化同時整合進微星的一鍵內存超頻功能MEMORY TRY IT中，用戶無需手動調整頻率、電壓和數十項時序參數，只需在BIOS中選擇已驗證的配置文件即可獲得高頻性能。
微星表示隨著驗證持續進行，未來將逐步添加更高頻率的配置文件。
另外長鑫科技將于7月16日開啟新股申購，這家中國第一、全球第四的DRAM廠商，擬募資295億元，僅次于中芯國際的532億元，成為科創板歷史上第二大、2026年全A股最大IPO。
市場預期其市值有望沖擊2萬億元，數千名持股骨干員工或將變身千萬富翁。
長鑫科技的造富效應早已在員工層面鋪開，并率先傳導至合肥樓市，大量員工選擇就近置業租房。
租一套70㎡兩室月租金約2000元，90㎡戶型接近3000元。周邊二手回遷房單價4000至5000元/㎡，租售比達7.62%，買一套房子出租約13年能回本。
新房市場同樣火爆。某樓盤已售超5000套房產，長鑫科技員工購買了20%至30%，曾有樓盤上千套房子被長鑫員工買走。
