這些國(guó)產(chǎn)DRAM之光，正在崛起

7月27日，萬(wàn)眾矚目的長(zhǎng)鑫終于正式上市，中國(guó)DRAM的故事正式開啟。

眾所周知，DRAM前三是三星、SK海力士、美光。Omdia數(shù)據(jù)顯示，按銷售額計(jì)算2025 年全球DRAM市場(chǎng)三星電子、SK 海力士和美光科技市場(chǎng)份額分別為33.96%、34.48%和 23.41%，三家企業(yè)合計(jì)占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)90%以上份額。除此之外，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)南亞科技、華邦電子、力積電等也有一定份額。

DRAM行業(yè)、人才壁壘高，長(zhǎng)鑫的突破并不容易。近年來(lái)，除了長(zhǎng)鑫，中國(guó)廠商的進(jìn)展也飛速，不斷爭(zhēng)奪話語(yǔ)權(quán)。

長(zhǎng)鑫此次上市有哪些技術(shù)值得關(guān)注，又有哪些國(guó)內(nèi)廠商也在布局DRAM？

長(zhǎng)鑫：中國(guó)第一、全球第四

據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)能和出貨量統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)鑫已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商，2025年第四季度，長(zhǎng)鑫DRAM銷售額對(duì)應(yīng)的全球市場(chǎng)份額已提升至7.67%。

長(zhǎng)鑫的業(yè)務(wù)包括DDR系列、LPDDR系列等多元化產(chǎn)品布局，并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產(chǎn)品方案，可以有效滿足服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、智能汽車等市場(chǎng)需求。2024年底以來(lái)，自有DDR4產(chǎn)品已停止生產(chǎn)，目前DDR5 產(chǎn)品并完成量產(chǎn)，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；LPDDR4X、LPDDR5/5X已經(jīng)得到很廣泛應(yīng)用；DRAM模組包括RDIMM、MRDIMM、UDIMM/CUDIMM、SODIMM/CSODIMM、LPCAMM等。

招股書顯示，公司高度重視自主技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新，在DRAM產(chǎn)品設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試、模組設(shè)計(jì)與應(yīng)用等各業(yè)務(wù)環(huán)節(jié)構(gòu)建了全面、完善的核心技術(shù)體系，主要核心技術(shù)已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，并形成了豐富的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。目前，公司已積累了廣泛的優(yōu)質(zhì)客戶資源，并與上下游合作伙伴共同構(gòu)建了相互依存、共同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

兆易創(chuàng)新：布局DDR3/DDR4/LPDDR4，LPDDR5研發(fā)中

兆易創(chuàng)新也是存儲(chǔ)賽道的重要玩家，其產(chǎn)品包括NOR Flash、SLC NAND Flash、DRAM，所以這家公司一直非常備受關(guān)注。兆易創(chuàng)新作為一家Fabless公司，主要做利基型DRAM，產(chǎn)品覆蓋DDR3L/DDR4/LPDDR4等，主要應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、電視、機(jī)頂盒、智能家居、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

年報(bào)顯示，2025年，DDR4 8Gb產(chǎn)品市場(chǎng)推廣進(jìn)展順利，收入持續(xù)增長(zhǎng)；LPDDR4產(chǎn)品也開始實(shí)現(xiàn)營(yíng)收貢獻(xiàn)；2026年，將繼續(xù)推進(jìn)DDR4 8Gb在電視、工業(yè)、電力及AI相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的客戶導(dǎo)入，加快LPDDR4產(chǎn)品量產(chǎn)，同時(shí)推進(jìn)LPDDR5小容量產(chǎn)品研發(fā)。

值得注意的是，兆易創(chuàng)新控股子公司青耘科技也在持續(xù)推進(jìn)定制化存儲(chǔ)業(yè)務(wù)布局，已完成核心團(tuán)隊(duì)建設(shè)，并在AI手機(jī)、AIPC、機(jī)器人等新興領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重點(diǎn)客戶和項(xiàng)目突破。而在今年3月底，公司披露公告顯示擬在2026年度向長(zhǎng)鑫采購(gòu)代工生產(chǎn)DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)全年交易金額將達(dá)57.11億元。

東芯：布局DDR3(L)、LPDDR1/2/4X以及MCP

東芯也主要圍繞利基型DRAM布局，覆蓋標(biāo)準(zhǔn)型DRAM和低功耗DRAM兩大系列，已實(shí)現(xiàn) DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等產(chǎn)品量產(chǎn)。其中，DDR3(L) 系列具備高帶寬、低延遲特點(diǎn)，主要應(yīng)用于通信設(shè)備、移動(dòng)終端等領(lǐng)域；LPDDR1/2/4X系列面向移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景，兼具低功耗和高速傳輸能力，最高時(shí)鐘頻率可達(dá)2133MHz，適用于智能終端、可穿戴設(shè)備等產(chǎn)品。

此外，東芯還提供MCP（多芯片封裝）存儲(chǔ)方案，將NAND Flash與DRAM集成于單一封裝，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)處理協(xié)同。具體來(lái)說(shuō)，NAND MCP產(chǎn)品采用自主研發(fā)的低功耗1.8V SLC NAND Flash，并搭配LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X等DRAM產(chǎn)品，已通過(guò)紫光展銳、高通、聯(lián)發(fā)科等主流平臺(tái)認(rèn)證，廣泛應(yīng)用于功能手機(jī)、MIFI、通信模塊等領(lǐng)域。

紫光國(guó)芯：布局DDR、LPPDDR和3D DRAM

紫光國(guó)芯的前身西安華芯半導(dǎo)體，源自浪潮集團(tuán)2009年收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)科技（西安）有限公司后的布局。奇夢(mèng)達(dá)原為英飛凌存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)拆分而成立，是國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)早期的重要技術(shù)來(lái)源之一。今年7月，紫光國(guó)芯遞表北交所。

紫光國(guó)芯擁有完善的傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品布局，構(gòu)建DRAM全品類產(chǎn)品矩陣，包括DRAM晶圓、芯片和系統(tǒng)三大核心品類，產(chǎn)品包括SDR、DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR2、LPDDR4、LPDDR4x、PSRAM。此外，紫光國(guó)芯還自研了三維堆疊DRAM（SeDRAM），通過(guò)WoW晶圓級(jí)混合鍵合（Hybrid Bonding）與Mini-TSV互連技術(shù)，在去除傳統(tǒng) PHY-PHY 互連及中介層（Interposer）同時(shí)，通過(guò)金屬層直連實(shí)現(xiàn) DRAM 晶圓與邏輯晶圓的多層堆疊。

君正：推進(jìn)20nm/18nm/16nm的DRAM和3D DRAM

君正的下屬全資子公司ISSI在存儲(chǔ)器領(lǐng)域耕耘三十多年，DRAM產(chǎn)品開發(fā)主要針對(duì)具有較高技術(shù)壁壘的專業(yè)級(jí)應(yīng)用領(lǐng)域，產(chǎn)品包括DDR、DDR2、LPDDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4 等。

值得注意的是，君正報(bào)告中提及，基于20nm、18nm、16nm等工藝制程，公司持續(xù)推進(jìn) DRAM產(chǎn)品線相關(guān)技術(shù)與產(chǎn)品的研發(fā)，并持續(xù)進(jìn)行了產(chǎn)品質(zhì)量的提升和成本的優(yōu)化，新制程的8Gb DDR4、8Gb LPDDR4、16Gb LPDDR4等產(chǎn)品陸續(xù)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，同時(shí)繼續(xù)推進(jìn)3D DRAM研發(fā)，包括算力SoC與存儲(chǔ)接口相關(guān)BaseDie部分的研發(fā)。

福建晉華：困境求生，轉(zhuǎn)折重生

福建晉華也是備受關(guān)注的一家國(guó)產(chǎn)DRAM廠商，但發(fā)展過(guò)程中受到專利糾紛和出口管制影響。2017年，美光起訴福建晉華及聯(lián)電涉嫌侵犯存儲(chǔ)芯片技術(shù)；隨后，福建晉華被美國(guó)列入出口管制實(shí)體清單，美國(guó)司法部進(jìn)一步提起商業(yè)機(jī)密相關(guān)訴訟，導(dǎo)致聯(lián)電退出項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程一度受阻。

2024年2月，美國(guó)舊金山地區(qū)法院裁定福建晉華不存在經(jīng)濟(jì)間諜行為，相關(guān)刑事指控均不成立。隨著法律影響消除，福建晉華逐步恢復(fù)生產(chǎn)。目前，福建晉華已經(jīng)在2025年首次實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定盈利，主要生產(chǎn)DRR4/LPDDR4/HBM，也在不斷擴(kuò)充晶圓產(chǎn)能，成為國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的重要力量。

昇維旭：正在崛起的新勢(shì)力

市場(chǎng)上關(guān)于昇維旭的消息也非常多，也是崛起的新勢(shì)力。

可能有些對(duì)于DRAM這個(gè)概念存在一定疑問(wèn)，接下來(lái)EEWorld用最簡(jiǎn)單的人話來(lái)幫你復(fù)盤一下這項(xiàng)技術(shù)。

DRAM是RAM中的一種，RAM還有一種SRAM，“S”代表Static（靜態(tài)），“D”代表Dynamic（動(dòng)態(tài)）。由于底層結(jié)構(gòu)差異，DRAM追求的是“更大容量、更低成本”，而SRAM追求的是“更快速度、更低延遲”。

從結(jié)構(gòu)看，DRAM采用的“1T1C”（一個(gè)晶體管+一個(gè)電容）存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。每一個(gè)Bit Cell通過(guò)電容存儲(chǔ)電荷狀態(tài)，用“有電”和“無(wú)電”分別代表二進(jìn)制中的1和0，而晶體管負(fù)責(zé)控制電容的數(shù)據(jù)讀寫。由于電容存在漏電問(wèn)題，存儲(chǔ)信息會(huì)隨著時(shí)間推移逐漸衰減，因此DRAM需要周期性進(jìn)行刷新操作，以重新補(bǔ)充電荷，保證數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。這種需要?jiǎng)討B(tài)維持?jǐn)?shù)據(jù)狀態(tài)的特性，也正是“動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”名稱的由來(lái)。

目前，DDR SDRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）是主流系統(tǒng)內(nèi)存方案，采用電容存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，具備高集成度、低成本、較低延遲和低功耗等優(yōu)勢(shì)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景，JEDEC制定了三類主要DDR存儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)：

標(biāo)準(zhǔn)DDR（DDR~DDR6）：服務(wù)器、PC、汽車等最常見的內(nèi)存，優(yōu)勢(shì)在于成本可控、容量較高，并支持ECC糾錯(cuò)機(jī)制。DDR在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿和下降沿處理數(shù)據(jù)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了比SDRAM更高帶寬，DDR2和DDR3通過(guò)較高時(shí)鐘頻率達(dá)到更高數(shù)據(jù)帶寬，DDR4新增了CRC、CA parity、DBI、溫度補(bǔ)償刷新TCSE/TCAR等功能降低了功耗增強(qiáng)了信號(hào)完整性，DDR5在DIMM上添加了PMIC、引入on-die ECC同時(shí)改善了通道架構(gòu)、工作電壓、內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并從DDR5 6400時(shí)代開始正式引入時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)芯片（CKD）架構(gòu)。

移動(dòng)DDR（LPDDR~LPDDR6）：注重低功耗與能效優(yōu)化，主要應(yīng)用于手機(jī)、AI邊緣終端以及汽車ADAS系統(tǒng)等對(duì)功耗敏感的設(shè)備，相比標(biāo)準(zhǔn)DDR，LPDDR芯片通過(guò)減小存儲(chǔ)器與CPU之間的導(dǎo)線電阻和通道寬度實(shí)現(xiàn)低功率的運(yùn)行，其中LPDDR5x以8.5Gbps速度和0.6V低電壓成為邊緣AI理想選擇。

圖形DDR（GDDR~GDDR7,HBM~HBM5）：針GDDR以高帶寬、低延遲、較低成本和大容量部署，成為AI計(jì)算中最平衡的解決方案，廣泛應(yīng)用于GPU加速卡等場(chǎng)景，最新GDDR7采用PAM3編碼，相比NRZ，每?jī)蓚€(gè)周期可傳輸3位數(shù)據(jù)，能效顯著提升，從而增強(qiáng)AI推理能力。HBM利用三維堆疊技術(shù)顯著提升帶寬與密度，通過(guò)2.5D/3D封裝將多層DRAM堆疊于邏輯芯片之上，從而降低處理器到內(nèi)存的互連延遲和寄生電容。

HBM結(jié)構(gòu)非常精巧，在HBM的中介層中，DRAM與處理器相連接，而中介層則會(huì)與基板相連接，最后將基板焊接在PCB上。在這樣的結(jié)構(gòu)中，DRAM堆棧會(huì)使用多層堆棧的架構(gòu)，從而提高內(nèi)存帶寬、容量和能效。在非常多的晶片堆棧中，其中一些內(nèi)存晶片會(huì)與處理器直接相連，從而獲得極快的傳輸速度；更重要的是，就拿HBM 3來(lái)說(shuō)DRAM堆棧與SoC間就存在1024根線進(jìn)行連接，上千條信號(hào)路徑遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了標(biāo)準(zhǔn)PCB所能支持的范圍，硅中介層則可類似集成電路，可以蝕刻出間距非常小的信號(hào)路徑，從而實(shí)現(xiàn)所需數(shù)量的信號(hào)線來(lái)滿足HBM接口的要求。

總的來(lái)說(shuō)，三大主流DRAM正在滿足不同需求：HBM滿足數(shù)據(jù)中心高帶寬需求，GDDR服務(wù)于GPU密集型AI推理，DDR/LPDDR則在更廣泛的計(jì)算市場(chǎng)中扮演著核心角色。

從目前市場(chǎng)端來(lái)看，DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM兩大類別：

• 主流DRAM：面向AI服務(wù)器、高端PC、旗艦移動(dòng)終端等高性能場(chǎng)景，持續(xù)提升計(jì)算性能，技術(shù)發(fā)展圍繞先進(jìn)制程、架構(gòu)優(yōu)化和先進(jìn)封裝展開，重點(diǎn)提升速率、帶寬和存儲(chǔ)密度，主要產(chǎn)品包括8Gb以上DDR4及DDR5、HBM等新一代存儲(chǔ)產(chǎn)品；

• 利基型DRAM：主要服務(wù)于汽車電子、工業(yè)控制、IoT 等細(xì)分市場(chǎng)，更關(guān)注穩(wěn)定性、兼容性和長(zhǎng)期供貨能力，主要包括8Gb及以下DDR4、DDR3以及LPDDR4X等，技術(shù)路線側(cè)重成熟制程優(yōu)化、場(chǎng)景化定制和低功耗設(shè)計(jì)。

所以，市場(chǎng)也要從多個(gè)方面去看：

• 高端市場(chǎng)，HBM無(wú)疑是重點(diǎn)的核心，也是當(dāng)下討論最火熱的領(lǐng)域，正從HBM3E向HBM4、HBM4E演進(jìn)，重點(diǎn)提升帶寬、堆疊層數(shù)和能效；DDR將向DDR5X、DDR6持續(xù)升級(jí)，預(yù)計(jì)DDR4將逐步退出主流市場(chǎng)；LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)已發(fā)布，將進(jìn)一步提升AI終端和移動(dòng)設(shè)備的性能與能效；

• 成熟利基市場(chǎng)，由性能競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向場(chǎng)景適配，工業(yè)領(lǐng)域更關(guān)注寬溫、抗干擾和可靠性，車載領(lǐng)域強(qiáng)調(diào)長(zhǎng)期生命周期和高可靠運(yùn)行，物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域則聚焦低功耗、小容量存儲(chǔ)需求，形成與高端市場(chǎng)互補(bǔ)的發(fā)展格局。

由此來(lái)看，國(guó)內(nèi)許多廠商的立足點(diǎn)是利基市場(chǎng)，長(zhǎng)鑫則不斷沖擊高端市場(chǎng)。當(dāng)下，市場(chǎng)還非常關(guān)注WoW堆疊和2.5D封裝技術(shù)，成為HBM高端DDR的關(guān)鍵，3D DRAM也是當(dāng)下極為關(guān)注的技術(shù)。

當(dāng)然，需要注意的是，雖然說(shuō)是分化高端市場(chǎng)和利基市場(chǎng)，但實(shí)際上，兩個(gè)技術(shù)難度都很高，并不是說(shuō)利基市場(chǎng)就不難。

我們都知道內(nèi)存一直在缺貨漲價(jià)，那么分化的兩個(gè)市場(chǎng)未來(lái)會(huì)怎么發(fā)展？

首先，在高端市場(chǎng)方面，Rambus此前向EEWorld分析，一季度供應(yīng)鏈問(wèn)題，尤其是 OSAT（封測(cè)）環(huán)節(jié)擾動(dòng)，目前已基本解決。但隨著AI數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)增長(zhǎng)，供應(yīng)鏈并未完全恢復(fù)寬松狀態(tài)，而是進(jìn)入結(jié)構(gòu)性偏緊階段。后端封測(cè)產(chǎn)能向東南亞轉(zhuǎn)移，加上AI需求快速增長(zhǎng)，使整體交付周期有所拉長(zhǎng)。

其次，在利基市場(chǎng)方面，華邦電子向EEWorld分析，嵌入式利基市場(chǎng)方面，中低容量DRAM需求依然存在，且不會(huì)快速轉(zhuǎn)向DDR5或LPDDR5。同時(shí)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)大廠正轉(zhuǎn)向生產(chǎn)HBM、LPDDR5等高容量產(chǎn)品，短期內(nèi)難以回歸中小容量市場(chǎng)。因此，對(duì)于嵌入式利基市場(chǎng)，今年乃至明年預(yù)計(jì)都將保持供應(yīng)緊張的局面。

那么，問(wèn)題來(lái)了，國(guó)內(nèi)廠商是否改善當(dāng)下狀況？答案的是肯定的，國(guó)內(nèi)廠商成為新的供應(yīng)鏈變量。首先，在高端市場(chǎng)上，長(zhǎng)鑫等國(guó)內(nèi)廠商開始不斷突破，其次，在利基市場(chǎng)，隨著三大廠商逐步減少DDR3、DDR4等成熟產(chǎn)品投入，利基市場(chǎng)出現(xiàn)供應(yīng)缺口，國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)新機(jī)遇。