歐盟委員會于 7 月 14 日正式批復德國總額 6.59 億歐元國家補貼，扶持四項歐洲首創半導體制造項目。資金由德國聯邦政府聯合地方各州財政共同出資，項目覆蓋碳化硅外延材料、功率半導體器件、晶圓量測設備、特種探測芯片，貫穿材料、芯片、裝備多個關鍵環節，是《歐洲芯片法案》框架下鞏固歐洲半導體供應鏈自主能力的重要舉措。
本次補貼中規模最大的一筆資金共計 3.53 億歐元，定向投向化合物半導體企業 Element 3-5 GmbH。企業將依托這筆資金，在北萊茵 - 威斯特法倫州巴斯韋勒建設專業化 SiC 外延晶圓工廠，落地代號SiCnature的核心項目。
SiC 外延片是碳化硅功率器件的核心功能層，直接決定功率芯片電學性能。Element 3-5 的 SiCnature 外延晶片方案，會在 SiC 襯底上方生長一層超薄高質量外延薄膜，相較常規 SiC 晶圓能夠顯著提升器件綜合性能。產線將采用創新工藝路線，對標行業主流傳統熱壁化學氣相沉積（CVD）技術，在能源利用效率、晶圓良率、整體制造效率上實現多重優化。量產之后，新型 SiC 外延片將廣泛供給電動汽車、工業自動化、通信基礎設施、新能源電力系統等終端市場。
除碳化硅材料項目外，另外三家企業同步獲得專項資助，覆蓋功率器件、半導體裝備與特種芯片賽道：
歐盟委員會在公告中表示，上述四座生產設施均屬于歐洲首創項目，如果缺少公共資金支持，相關產業化投資難以推進。
持續加碼功率半導體、寬禁帶半導體本土產能，能夠降低歐洲產業鏈對外依賴，強化歐洲在新能源電力電子賽道的長期競爭力。從資金結構可以看出，寬禁帶 SiC 材料獲得過半資金傾斜，也印證碳化硅功率半導體被視作歐洲能源轉型進程中的戰略性核心材料。
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