在碳化硅晶圓制造過程中，切割是影響加工效率、材料利用率及生產成本的重要環節。傳統砂漿切割單片加工周期長達7天，行業主流單光源激光切割方案也通常需要30至40分鐘。武漢光谷企業硅來半導體通過雙光源激光技術，將碳化硅晶圓切割時間進一步壓縮至10分鐘。
近日，硅來半導體正式推出自研雙光源碳化硅晶圓切割設備。該設備采用雙光路同步作業模式，通過兩路激光協同加工大幅提升切割效率。目前，公司碳化硅激光襯底裝備生產基地已正式投產，首條碳化硅晶圓切割中試產線穩定運行。設備整機尺寸不足1.5米，切割良率突破99%，首批量產設備已發往馬來西亞，實現海外出貨。
據了解，硅來半導體核心研發團隊脫胎于華中科技大學，并于2023年啟動相關設備研發。依托光谷成熟的激光產業集群，公司本地配套供應商占比接近90%，同時獲得帝爾激光戰略投資，在供應鏈、資金及場地等方面獲得產業協同支持。今年4月，該設備亮相九峰山論壇，據企業介紹，其綜合性能已對標并優于海外同類產品，而售價僅約為進口設備的十分之一，現場獲得多家產業鏈企業合作意向。
當前，硅來半導體正持續擴充研發團隊，計劃通過技術迭代進一步將切割效率提升一倍、材料損耗降低50%。隨著碳化硅在新能源汽車、光伏儲能及數據中心等領域加速應用，高效率、低損耗的國產切割裝備有望成為推動碳化硅產業鏈降本增效的重要力量。
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