近日，杭州#鎵仁半導(dǎo)體 宣布，其依托氧化鎵厚膜外延核心工藝迭代，正式對(duì)外推出全新高性能氧化鎵薄膜外延片產(chǎn)品，產(chǎn)品面向高壓功率、射頻探測(cè)芯片研發(fā)提供國(guó)產(chǎn)核心材料支撐。
本次新品基于企業(yè)自研鑄造法單晶生長(zhǎng)與定制化MOCVD外延工藝打造，多項(xiàng)關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。晶圓多點(diǎn)XRD搖擺曲線半高寬均低于30角秒，晶體缺陷密度控制水平優(yōu)異；AFM檢測(cè)表面粗糙度僅0.35nm，可匹配光刻、刻蝕等高精度芯片制造工序，有效提升下游器件良率；外延層電子遷移率穩(wěn)定區(qū)間130至184cm2/Vs，電學(xué)參數(shù)復(fù)現(xiàn)性強(qiáng)，適配多類(lèi)器件定制開(kāi)發(fā)需求。
氧化鎵屬于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料，擊穿場(chǎng)強(qiáng)顯著優(yōu)于碳化硅、氮化鎵，是800V車(chē)載快充、光伏儲(chǔ)能逆變器、高壓射頻雷達(dá)、算力服務(wù)器電源器件的剛需基材。
此前全球產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期局限2-4英寸小尺寸樣品，鎵仁已建成首條兼容6/8英寸氧化鎵同質(zhì)外延量產(chǎn)線，可穩(wěn)定供應(yīng)膜厚超10微米的厚膜外延晶圓，膜厚方差低于1%，解決大尺寸氧化鎵均勻性量產(chǎn)痛點(diǎn)。
企業(yè)打通單晶、襯底、外延全鏈條自主制造能力，新品厚度、摻雜濃度、晶面取向均可根據(jù)客戶(hù)需求定制，現(xiàn)已開(kāi)放試樣預(yù)訂，合作對(duì)象覆蓋國(guó)內(nèi)功率器件廠商、高校科研機(jī)構(gòu)，同步對(duì)接海外實(shí)驗(yàn)室與材料采購(gòu)訂單。
集邦化合物半導(dǎo)體整理
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