近日，據宏微科技官網發布消息，7月17日江蘇宏微科技股份有限公司子公司#上海宏微愛賽半導體有限公司，與合肥工業大學正式簽署校企合作協議，雙方聚焦AI數據中心AIDC板級供電痛點，聯合攻關基于GaN HEMT氮化鎵高電子遷移率晶體管的三級電源核心技術。
隨著AI服務器單機功耗、機柜功率密度大幅抬升，AIDC供電鏈路分為三級架構，最貼近GPU負載的三級48V轉6V板載降壓環節，是決定算力卡供電效率、熱損耗與運行穩定性的關鍵瓶頸，對功率器件高頻特性、導通損耗提出極高要求。氮化鎵GaN HEMT具備開關速度快、寄生參數小、能效占優的先天優勢，是當前高端算力板載電源的最優器件方案。
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#宏微科技 已依托子公司宏微愛賽完成650V GaN HEMT芯片自主研發，此前僅完成AIDC一級、二級前端供電器件產品落地，本次校企定向研發將補齊三級板載電源技術短板，打通AI數據中心從前端配電到板級負載的全鏈路功率半導體方案能力。
合作過程中，企業負責器件工程化落地與產品產業化，合肥工業大學側重拓撲架構、控制算法與系統能效仿真優化，加速GaN器件在高密度算力電源場景的國產化替代進程。
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●兩家公司深化合作，加速氮化鎵仿真與量產
●半導體大廠強強合作，氮化鎵產業迎變局
●兩家企業達成氮化鎵合作
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