【2025年10月29日, 德國慕尼黑訊】工業領域中的快速直流電動汽車(EV)充電、兆瓦級充電、儲能系統,以及不間斷電源設備,往往需要在嚴苛環境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩定的功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出了EasyPACK™ C 系列產品 ——EasyPACK™ 封裝家族的新一代產品。該全新封裝系列的首款產品為碳化硅(SiC)功率模塊,集成了英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2技術,并采用了公司專有的.XT 互連技術。通過降低靜態損耗并提高可靠性,這些模塊有助于滿足工業應用領域日益增長的能源需求,并助力實現可持續發展目標。
憑借英飛凌的 CoolSiC™ MOSFET G2 技術,新產品較上一代 CoolSiC™ MOSFET功率密度提升超過30%,使用壽命延長高達 20 倍。此外,該產品的導通電阻(RDS(on))顯著降低約 25%。不僅如此,全新的 EasyPACK™ C 封裝設計理念進一步提高了功率密度與布局靈活性,為未來更高電壓等級的產品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT 互連技術進一步延長了器件的使用壽命。

英飛凌CoolSiC™ MOSFET Easy 2C .XT
該系列模塊可承受結溫(Tvj(over))高達 200°C 的過載開關工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳,其電流承載能力提升一倍,同時降低PCB板的溫度,并優化安裝流程。全新的塑封材質與硅凝膠設計,支持該模塊在最高 175°C 的結溫(Tvj(op))下依然穩定運行。此外,該系列模塊還具備一分鐘內耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現更卓越的系統能效、更長的使用壽命,以及更出色的耐高溫性能。
采用 EasyPACK™ C 封裝的全新模塊提供多種拓撲結構,包括三電平(3-level)和 H 橋(H-bridge)配置,且同時提供含/不含熱界面材料的兩種版本。
供貨情況
首款采用 EasyPACK™ C 封裝且集成 CoolSiC™ MOSFET G2 技術的模塊現已上市。英飛凌計劃進一步拓展產品組合,以滿足不同應用領域不斷變化的需求。更多信息,敬請訪問:。
關于英飛凌
英飛凌科技股份公司是全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者。英飛凌以其產品和解決方案推動低碳化和數字化進程。該公司在全球擁有約58,060名員工(截至2024年9月底),在2024財年(截至9月30日)的營收約為150億歐元。英飛凌在法蘭克福證券交易所上市(股票代碼:IFX),在美國的OTCQX國際場外交易市場上市(股票代碼:IFNNY)。
英飛凌中國
英飛凌科技股份公司于1995年正式進入中國大陸市場。自1995年10月在無錫建立第一家企業以來,英飛凌的業務取得非常迅速的增長,在中國擁有約3,000多名員工,已經成為英飛凌全球業務發展的重要推動力。英飛凌在中國建立了涵蓋生產、銷售、市場、技術支持等在內的完整的產業鏈,并在銷售、技術應用支持、人才培養等方面與國內領先的企業、高等院校開展了深入的合作。
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