華為哈勃增投天域半導體,研發的碳化硅材料有什么優勢

所謂的傳統芯片就是硅基芯片，目前國際上的芯片幾乎無一例外都是這類材質的，如今華為開始換道超車，發展新一代半導體材料。華為押注第三代半導體，投資碳化硅材料企業，目的是為了在將來第三代半導體時代到來之前，擁有可控的產業優勢。

除了投資“芯片之母”EDA企業，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司，后者注冊資本也從9027萬元增加到9770萬元，增幅8%。

據悉，東莞市天域半導體成立于2009年，位于松山湖高新技術產業園區，是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。

2010年公司與中科院半導體所合作成立“碳化硅技術研究院”，目前已引進三臺世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備，生產技術達到國際先進水平。

至于深圳哈勃科技，華為技術有限公司則出自69%、華為終端出資30%、哈勃科技出資1%，今年4月剛剛成立。

所謂第三代半導體，主要是二十一世紀以來以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導體材料，即高溫半導體材料。第一代半導體材料主要是硅（Si）、鍺元素（Ge），第二代主要是化合物半導體材料。

碳化硅有什么優勢？

碳化硅是一種碳硅元素結合而來的化合物，又被稱為寬禁帶半導體材料。這種物質首次被發現于1891年，歷時百年的研發后，國際上已經實現了對碳化硅優質性能的提煉發現，并將制成更多的半導體組件。

比起傳統硅基材料，碳化硅的導熱性能更好，大概是傳統芯片的五倍，至于其他性能更是硅基材料無可比擬的存在。因此采用碳化硅制造出來的芯片，其耐高溫高壓的性能會更好，未來芯片的使用壽命也會得到大幅提升。

碳化硅材料的研發難度

如今傳統硅基材料之所以發展規模大，一部分原因在于材料非常容易獲取，且價格非常廉價，三天的時間內就能生產出最多3米長的硅基材料，而這么一根就能產出上千片硅基芯片。可是反觀碳化硅，同樣的時間內，產能最多只有幾厘米，因此可以想象其售價會多高，一個六英寸的硅基芯片需要150元，而同樣尺寸的碳化硅芯片最高能達到10000塊。

責編：editorAlice