英諾賽科贏得與英飛凌專利訴訟管轄權異議最高院終裁勝訴

根據英諾賽科（Innoscience）公司官網新聞報道，公司在與國際芯片巨頭英飛凌（Infineon）的專利訴訟中取得關鍵進展。2025 年 5 月 11 日，最高人民法院終審裁定駁回英飛凌中國公司及無錫公司提出的管轄權異議上訴，確認江蘇省蘇州市中級人民法院對案件的管轄權。

英諾賽科表示，這一裁定為案件進入實體審理掃清障礙，標志著英諾賽科在捍衛自主知識產權的法律戰中邁出重要一步。

案件背景

2025 年 1 月，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司及全資附屬公司向蘇州中院提起訴訟，指控英飛凌中國公司、英飛凌無錫公司及芯沃科公司侵犯其兩項核心專利：202311774650.7 號專利涉及氮化鎵（GaN）功率器件及其制備方法，202211387983.X 號專利涉及氮化物基半導體器件及其制造方法。英諾賽科指出，英飛凌通過官網展示、進口及銷售相關侵權產品，芯沃科作為分銷商參與其中，構成專利侵權。

英飛凌方隨后以管轄權為由提出異議，主張案件應由其他法院審理，但蘇州中院一審駁回其請求。英飛凌不服上訴至最高人民法院，經審理查明，芯沃科公司作為蘇州兩案的適格被告，其住所地位于江蘇省蘇州市，屬于一審法院管轄范圍，因此一審法院具有管轄權。基于此，最高人民法院駁回了英飛凌的上訴請求，維持了兩案管轄權異議一審裁定。

根據《民事訴訟法》及相關司法解釋，管轄權異議需在答辯期內提出，法院審查后裁定駁回或移送，而最高院的終審裁定為本案的管轄程序畫上句號。

技術與市場競爭的深層博弈

本案背后是第三代半導體領域的技術話語權爭奪。英諾賽科作為中國氮化鎵功率器件領先企業，2023 年氮化鎵分立器件累計出貨量超 5 億顆，市占率達 42.4%，其 8 英寸硅基氮化鎵晶圓量產技術打破國際壟斷。而英飛凌近年來通過收購 GaN Systems 等企業加速布局氮化鎵市場，試圖鞏固其在功率半導體領域的全球龍頭地位。

英諾賽科與英飛凌的專利糾紛由來已久。早在2024年3月，英飛凌已在美國加利福尼亞北區地方法院對英諾賽科提起了專利侵權訴訟，并于2024年6月4日向德國慕尼黑地方法院提起相應訴訟。對此，英諾賽科曾回應稱，英飛凌的專利侵權指控毫無根據，且影響有限。

此次訴訟涉及的氮化鎵技術是新能源汽車、數據中心等領域的核心材料，具有高頻、低損耗等優勢。英諾賽科在訴訟中強調，其專利技術 “補償 GaN 層” 等關鍵設計為自主研發成果，而英飛凌的侵權行為損害了其市場利益。分析人士指出，管轄權裁定的勝訴為英諾賽科后續主張侵權賠償、禁令等救濟措施奠定了程序基礎。

行業意義與法律啟示

這是英諾賽科繼 2024 年在美國與 EPC 公司專利糾紛中勝訴后，再次在國際知識產權訴訟中取得階段性勝利，也為國內同行應對跨國專利訴訟提供了參考。

從法律層面看，最高院的裁定體現了對知識產權案件管轄規則的嚴格適用。根據《最高人民法院關于審理民事級別管轄異議案件若干問題的規定》，法院需依法審查管轄權異議，確保程序正義。本案中，蘇州中院作為侵權行為地法院，依法享有管轄權，終審裁定進一步明確了這一法律邏輯。

隨著管轄權爭議塵埃落定，案件將進入實體審理階段，英諾賽科需在技術比對、侵權認定等核心環節提供充分證據。若最終勝訴，不僅可能獲得經濟賠償，還可能通過禁令限制英飛凌相關產品在中國市場的銷售。