隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體技術在新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)電源等領域的廣泛應用,整個電力電子系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。這類器件憑借其高頻、高壓、高溫的特性,顯著提升了系統(tǒng)性能,但同時也將壓力傳導至整個系統(tǒng)設計的每一個環(huán)節(jié)。
其中,作為最基礎的無源元件之一,電容器的角色正變得愈發(fā)關鍵,其面臨的挑戰(zhàn)也前所未有。在傳統(tǒng)電源架構中,電容器更多是作為儲能和濾波的“配角”存在。然而,在第三代半導體驅動的高頻開關(可達數(shù)百kHz甚至MHz)應用中,電容器需要承受更高的紋波電流、更嚴苛的電壓應力和更劇烈的溫度變化。同時,整機小型化趨勢要求電容器在有限的空間內(nèi)提供更大的有效容量,這直接對電容器的容量密度、等效串聯(lián)電阻(ESR)、等效串聯(lián)電感(ESL)、耐紋波電流能力和長壽命可靠性提出了極限要求。
這一系列新要求,使得電容器的迭代速度必須跟上甚至超越功率器件的發(fā)展。然而,傳統(tǒng)電容器技術,尤其是液態(tài)鋁電解電容,經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展,其材料體系和結構設計已接近物理瓶頸。單純依靠某一環(huán)節(jié)的改進難以實現(xiàn)突破,需要從材料配方、內(nèi)部結構、制造工藝到封裝技術的系統(tǒng)性創(chuàng)新。這種“被動”元件與“主動”器件發(fā)展速度的不匹配,已成為制約第三代半導體方案全面落地的瓶頸之一。
在近日舉行的PCIM展會上,上海永銘電子股份有限公司展示了其在應對這一挑戰(zhàn)上的技術路徑。該公司副總裁張慶濤分享了與多家行業(yè)領先企業(yè)合作的五個案例,揭示了如何通過系統(tǒng)性創(chuàng)新,為第三代半導體應用提供匹配的電容器解決方案。

上海永銘電子股份有限公司副總裁張慶濤
案例一:與納微(Navitas)氮化鎵協(xié)同的AI服務器電源解決方案
隨著AI算力需求的持續(xù)增長,對服務器電源的功率密度和能效提出了更高要求。在1U高度的電源模塊中,電容器作為體積最大的元件之一,其小型化成為制約整機設計的核心痛點。該方案的技術挑戰(zhàn)在于,電容器體積相比傳統(tǒng)方案需減少50%以上,同時在105℃工作溫度下的壽命需達到6000小時,容量衰減控制在8%以內(nèi),以確保整機十年的使用壽命。
針對此需求,永銘電子選用了其自主研發(fā)的IDC3系列450V/1400μF(尺寸:30x70mm)牛角型液態(tài)鋁電解電容器。這是一款高容量密度的液態(tài)牛角電容。在提升功率密度的同時,必須縮小電容體積,保持甚至提升容量密度,并滿足更高的耐紋波電流、耐壓等要求,這對電容器提出了極高挑戰(zhàn)。

圖1:基于IDC3系列450V/1400μF牛角型液態(tài)鋁電解電容器(左)的納微(Navitas)氮化鎵AI服務器電源解決方案(右)
傳統(tǒng)電容器經(jīng)過數(shù)十年發(fā)展,容量密度已接近瓶頸。為實現(xiàn)突破,永銘電子從材料、設計、工藝、設備到生產(chǎn)流程,每一個環(huán)節(jié)都進行了全面改進。最終,將這款電容的容量密度提升了約70%,使整機模塊體積減少了55%。
同時,在105℃、額定電壓下的負載壽命測試中,容量衰減可控制在8%以內(nèi)。面對AI服務器大功率、高紋波電流的應用場景,該電容器的紋波電流能力可提升至19A,大幅節(jié)省了空間布局,滿足了整機需求。
與日系同類產(chǎn)品相比,永銘電子在體積不變的情況下,將容量密度從13.64μF/cm³提升至23.29μF/cm³,整整提升了70.7%。這一方案不僅實現(xiàn)了小型化,還顯著提升了電源效率1%~2%,并使系統(tǒng)溫升降低了10℃,為AI服務器的穩(wěn)定運行提供了堅實保障。
案例二:與英飛凌(Infineon)氮化鎵協(xié)同的480W軌交電源解決方案
這是一個高功率軌交電源應用,設備需在-40℃至65℃的寬溫域內(nèi)長期可靠運行。客戶原計劃采用一款日系450V高壓輸入端液態(tài)電解電容,要求紋波電流能力大于6A,并對高頻紋波發(fā)熱有嚴格要求。
在測試日系產(chǎn)品時,發(fā)現(xiàn)在65℃至-45℃的溫度循環(huán)過程中,紋波電流表現(xiàn)不佳,存在可靠性問題,具體表現(xiàn)為在-40℃低溫啟動及高低溫循環(huán)測試中出現(xiàn)鼓包失效。
永銘電子接到需求后,深入分析了應用環(huán)境,推出了LK系列450V/68μF(尺寸:16x25mm)產(chǎn)品。該產(chǎn)品在體積上大幅縮減,同時保持了68μF的容量,實現(xiàn)了“更大容量、更小體積”。

圖2:永銘LK系列450V/68μF,及其在英飛凌480W軌交電源解決方案中的應用
更重要的是,該方案解決了原產(chǎn)品在-40℃低溫環(huán)境下電容鼓包的問題,顯著提升了產(chǎn)品的可靠性和環(huán)境適應性。永銘電子的方案在-40℃低溫下容衰率控制在10%以內(nèi),105℃高溫壽命長達12000小時,耐受紋波電流高達7.8A,整機效率提升了1%~2%,體積縮小了60%,并且在嚴苛測試中通過率達到了100%,完全滿足軌道行業(yè)十年以上的運營要求。
案例三:與兆易創(chuàng)新(GigaDevice)深度合作的3.5kW充電樁方案
這是永銘電子在新能源充電領域的又一重要突破。該方案的技術挑戰(zhàn)源于高頻開關技術的普及:PFC開關頻率高達70kHz,LLC開關頻率在94kHz至300kHz之間,導致輸入側紋波電流激增至17A以上,同時芯子溫升成為影響10-20年長壽命目標的關鍵風險點。
為應對挑戰(zhàn),永銘電子與兆易創(chuàng)新深度協(xié)同,采用其GD32G553高性能MCU,配合納微的GaNSafe™高功率氮化鎵芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅器件,共同打造了這一高效方案。在電容器方面,采用了內(nèi)部多極耳并聯(lián)結構,有效降低了ESR和ESL,提升了高頻電流的均流能力。
永銘電子的CW6系列高性能電容器(500V/390μF 35*45mm)在100kHz下的高頻ESR典型值僅為7mΩ,相較于常規(guī)產(chǎn)品(12mΩ)的損耗降低了42%。在相同體積下,其承載能力提升了33%,輕松應對7kW及以上的高功率需求。該方案實現(xiàn)了137W/in³的超高功率密度,系統(tǒng)峰值效率達到96.2%,PF為0.999,THD低至2.7%,完全滿足電動汽車充電樁高可靠性及10-20年長壽命的嚴苛要求,為客戶打造了更小、更高效、更可靠的800V平臺產(chǎn)品。

圖3:永銘CW6系列高性能電容器及其在兆易創(chuàng)新3.5kW充電樁方案中的應用
案例四:與安森美(onsemi)配合的300kW電機控制器薄膜電容(DC-Link)
該方案應用于新能源汽車主驅逆變器的直流鏈路(DC-Link)電路,永銘電子提供了一款定制化的DC-link薄膜電容器。在碳化硅器件高頻、高dV/dt的應用環(huán)境下,DC-Link電容需具備極低的等效串聯(lián)電感(ESL)以吸收電壓尖峰,并能在125℃高溫下長期工作。
在容量密度方面,永銘電子同樣實現(xiàn)了大幅躍升。通過采用多引腳加疊層的內(nèi)部結構設計,將等效串聯(lián)電感(ESL)有效降低至3.5nH以下,能有效吸收碳化硅器件開關過程中的電壓尖峰,保護器件安全。
該方案使整機效率提升至98.5%,碳化硅開關損耗降低20%,功率密度提升(體積減少35%),重量減輕30%。電容器自身溫升小于15℃。

圖4:基于永銘電子定制化DC-link薄膜電容器的安森美300kW電機控制器
整體而言,系統(tǒng)轉換效率更高,續(xù)航里程提升約5%,并支持瞬間大電流放電,顯著提升了車輛的加速性能和客戶駕駛體驗。該方案已成功匹配安森美300kW電機控制器,單位體積容量提升了30%,在125℃下的壽命超過1萬小時,完全滿足30萬公里整車壽命要求,為新能源汽車的高效、可靠運行提供了核心支持。
案例五:英偉達(NVIDIA)AI服務器GB300 BBU備用電源方案
在英偉達AI服務器GB300中,GPU算力劇烈波動,對備用電源的響應速度提出了“毫秒級”要求。傳統(tǒng)電池方案因化學反應機制限制,響應速度慢、循環(huán)壽命有限,難以滿足此類高動態(tài)負載場景的嚴苛需求。該方案最初由日本廠商提供,采用鋰電容(Li-Cap)技術。
永銘電子在對該方案進行深入研究的基礎上,自主研發(fā)并推出了可替代的PPS(Power Pulse Supercapacitor)模組——SLF4.0系列,4500F方形鋁殼超級電容器組件。該產(chǎn)品系列為LIC方形鋰離子超級電容,具體型號為SLF 4.0V 4500F,其內(nèi)阻低于1mΩ,循環(huán)壽命超過100萬次,支持10分鐘快充。

圖5:永銘LIC方形鋰離子超級電容及其在英偉達AI服務器GB300中的應用
在性能方面,該方案展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢:體積較原方案降低50%-70%,重量減輕50%-60%。充放電效率提升5倍以上,支持10秒至10分鐘的快速充放電。
單個模組支持15-21kW功率輸出,能夠完美匹配GB300的峰值功耗需求,并具備100萬次以上的循環(huán)壽命,可確保6年以上的可靠運行。該方案不僅在性能上實現(xiàn)了對現(xiàn)有產(chǎn)品的超越,更創(chuàng)新性地采用“超級電容+BBU”的混合儲能架構,利用超級電容實現(xiàn)毫秒級瞬時功率補償,BBU負責分鐘級長時能量后備,從根本上解決了傳統(tǒng)方案響應延遲、循環(huán)壽命短、維護成本高等痛點,實現(xiàn)了電源系統(tǒng)穩(wěn)定性與全生命周期成本的雙重優(yōu)化。
結語
綜合來看,這些案例反映出一個共同趨勢:在第三代半導體應用中,電容器已不再是簡單的配套元件,而是系統(tǒng)性能的關鍵影響因素。其技術突破依賴于從材料、結構到工藝的全鏈條創(chuàng)新。上述案例表明,通過與產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同創(chuàng)新,針對不同應用場景的核心挑戰(zhàn)提供定制化解決方案,是推動無源元件與功率器件協(xié)同發(fā)展的有效路徑,為行業(yè)應對技術迭代挑戰(zhàn)提供了有價值的實踐參考。