Counterpoint?Research的報(bào)告指出，本季度內(nèi)存價(jià)格的環(huán)比漲幅高達(dá)80%-90%，這一幅度在行業(yè)發(fā)展史上極為罕見。上漲并非局限于單一品類，而是呈現(xiàn)全面開花的態(tài)勢(shì)。
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research最新發(fā)布的《內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》，2026年第一季度全球內(nèi)存芯片價(jià)格較2025年第四季度出現(xiàn)80%至90%的暴漲，DRAM、NAND閃存及HBM（高帶寬內(nèi)存）價(jià)格均創(chuàng)下歷史新高。此次價(jià)格飆升的核心驅(qū)動(dòng)力在于通用服務(wù)器DRAM需求的急劇增長(zhǎng)，并帶動(dòng)全品類內(nèi)存價(jià)格上揚(yáng)。
面對(duì)驟增的成本壓力，下游設(shè)備制造商正積極調(diào)整產(chǎn)品策略，或削減內(nèi)存配置，或轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品線以維持利潤(rùn)。與此同時(shí)，存儲(chǔ)芯片制造商的盈利能力預(yù)計(jì)將達(dá)到前所未有的水平，行業(yè)格局正經(jīng)歷深刻變化。
歷史性漲幅：全品類內(nèi)存價(jià)格創(chuàng)紀(jì)錄攀升
Counterpoint Research的報(bào)告指出，本季度內(nèi)存價(jià)格的環(huán)比漲幅高達(dá)80%-90%，這一幅度在行業(yè)發(fā)展史上極為罕見。上漲并非局限于單一品類，而是呈現(xiàn)全面開花的態(tài)勢(shì)。
來源：Counterpoint Research 內(nèi)存價(jià)格追蹤器
其中，通用服務(wù)器DRAM是本次漲價(jià)的絕對(duì)主力。受全球人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)與云服務(wù)需求持續(xù)擴(kuò)張的推動(dòng)，服務(wù)器對(duì)內(nèi)存容量和性能的要求水漲船高，導(dǎo)致供應(yīng)持續(xù)緊張，價(jià)格大幅拉升。一個(gè)鮮明的例證是，服務(wù)器級(jí)的64GB RDIMM（寄存式雙列直插內(nèi)存模塊）的合約價(jià)格，已從2025年第四季度的450美元飆升至2026年第一季度的900美元以上，漲幅超過100%。市場(chǎng)分析預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品價(jià)格在第二季度很可能突破1000美元大關(guān)。
與此同時(shí)，在上一季度相對(duì)平穩(wěn)的NAND閃存市場(chǎng)也未能獨(dú)善其身，價(jià)格出現(xiàn)了80%-90%的同步上漲。此外，應(yīng)用于AI加速器的高端產(chǎn)品HBM3e的價(jià)格也持續(xù)走高。這標(biāo)志著市場(chǎng)已從結(jié)構(gòu)性短缺進(jìn)入全面供應(yīng)緊張階段。
成本傳導(dǎo)與產(chǎn)業(yè)鏈的應(yīng)對(duì)策略
內(nèi)存作為電子設(shè)備的核心組件，其價(jià)格劇烈波動(dòng)迅速向產(chǎn)業(yè)鏈下游傳導(dǎo)，給原始設(shè)備制造商（OEM）帶來了巨大的成本壓力。Counterpoint Research高級(jí)分析師Jeongku Choi（崔正九）指出，對(duì)于設(shè)備制造商而言，這無疑是“雙重打擊”——既要承受零部件成本的急劇上升，又需面對(duì)因終端產(chǎn)品可能漲價(jià)而導(dǎo)致的消費(fèi)者購(gòu)買意愿下降風(fēng)險(xiǎn)。
為緩解這一壓力，OEM廠商正在采取多種策略進(jìn)行調(diào)整。在個(gè)人電腦和智能手機(jī)領(lǐng)域，一些制造商選擇減少每臺(tái)設(shè)備的內(nèi)存容量，或在存儲(chǔ)方案上尋求替代，例如用成本更低的QLC（四層單元）固態(tài)硬盤替代TLC（三層單元）產(chǎn)品。在內(nèi)存類型的選擇上，市場(chǎng)趨勢(shì)也發(fā)生顯著變化：由于LPDDR4內(nèi)存面臨供應(yīng)短缺且成本優(yōu)勢(shì)減弱，其訂單量明顯下降；而得益于新一代入門級(jí)移動(dòng)平臺(tái)開始支持，LPDDR5內(nèi)存的訂單占比正在不斷提升。
這些調(diào)整迫使OEM廠商改變其采購(gòu)模式，并將更多資源聚焦于高端機(jī)型。通過為高端設(shè)備集成更先進(jìn)、性能更強(qiáng)的內(nèi)存配置（如LPDDR5），制造商試圖以提升產(chǎn)品價(jià)值的方式來合理化上漲的售價(jià)，從而維持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力與利潤(rùn)空間。
行業(yè)盈利水平預(yù)計(jì)達(dá)歷史峰值
與下游制造商的窘境形成對(duì)比的是，存儲(chǔ)芯片制造商正迎來前所未有的盈利黃金期。報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，DRAM的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率在2025年第四季度已經(jīng)達(dá)到約60%的水平。一個(gè)具有標(biāo)志性意義的轉(zhuǎn)折是，這是傳統(tǒng)通用DRAM產(chǎn)品的利潤(rùn)率首次超過專為高性能計(jì)算設(shè)計(jì)的HBM產(chǎn)品。
分析師預(yù)計(jì)，到2026年第一季度，存儲(chǔ)制造商的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率將達(dá)到歷史最高水平，并創(chuàng)下新的盈利紀(jì)錄。Jeongku Choi分析認(rèn)為，DRAM的利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將首次突破歷史峰值。這預(yù)示著行業(yè)可能正在樹立一個(gè)新的盈利常態(tài)，或者設(shè)定了一個(gè)極高的利潤(rùn)率門檻。
然而，高利潤(rùn)的背后也隱藏著周期性的風(fēng)險(xiǎn)。分析師警告，當(dāng)前這種異常高的盈利水平雖然穩(wěn)固，但可能會(huì)使得未來不可避免的下行周期調(diào)整顯得更加劇烈和艱難。市場(chǎng)能否在高位維持供需平衡，將是影響后續(xù)走勢(shì)的關(guān)鍵。
市場(chǎng)展望：供需博弈與長(zhǎng)期影響
此次內(nèi)存價(jià)格的歷史性暴漲，根源在于AI革命所引發(fā)的算力需求爆炸式增長(zhǎng)，與半導(dǎo)體制造產(chǎn)能擴(kuò)張需要長(zhǎng)期周期的結(jié)構(gòu)性矛盾。短期內(nèi)，主要存儲(chǔ)芯片制造商將資本開支優(yōu)先分配給利潤(rùn)更豐厚的HBM及先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能，進(jìn)一步加劇了通用服務(wù)器DRAM的供應(yīng)緊張局面。
展望2026年后續(xù)季度，盡管價(jià)格漲幅可能從第一季度的極端高位有所回落，但在服務(wù)器需求未見放緩、產(chǎn)能新增有限的大背景下，內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)仍將維持在高位運(yùn)行。高盛近期也上調(diào)了對(duì)DRAM供應(yīng)短缺的預(yù)期，預(yù)測(cè)2026年全年短缺幅度將達(dá)4.9%，遠(yuǎn)超此前預(yù)估。
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