華邦電子推出先進 16nm 制程 8Gb DDR4 DRAM，專為工業與嵌入式應用而生

2025年12月3日，中國蘇州 — 全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，該產品采用華邦自有先進 16nm 制程技術，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解決方案，適用于電視、服務器、網通設備、工業計算機及嵌入式應用等多元市場。

盡管 DDR5 逐漸普及，許多產業仍依賴 DDR4 穩定成熟的生態系統。華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM 專為這些客戶設計，讓他們在維持既有架構的同時，仍能享有更快的數據傳輸速度與更強的系統競爭力。

憑借先進的 16nm 制程，華邦新一代 DDR4 產品實現顯著效能提升。相較前一代技術，16nm 制程節點具備更小晶粒尺寸、更高晶圓產出率與更佳功耗效率，使客戶能在不增加封裝尺寸的情況下整合更高容量的 DRAM。同時，制程優化提升了信號完整性并降低漏電率，確保在高達 3600Mbps 的數據速率下仍能穩定運作。這種兼具高速、低成本與高制程成熟度的設計，使華邦 16nm DDR4 成為產品生命周期長的工業與嵌入式應用的理想選擇。

作為業界首款支持 3600Mbps 傳輸速率的產品，華邦全新的 8Gb DDR4 DRAM超越既有DDR4標準，滿足高速運算應用的數據處理需求。借助華邦 16nm 技術優勢，更小的芯片面積在相同封裝下提供更大容量，進一步降低整體系統成本。

華邦具備涵蓋設計、16nm 制程開發到制造的完整自有能力，為工業級與 KGD（Known Good Die，良品裸晶圓）客戶提供穩定的供應鏈與專業售后支持。

華邦表示:“DDR4仍是眾多市場的重要技術，我們全新的 8Gb DDR4 解決方案讓客戶能在成熟的生態系統中獲得更高性能與更佳效率。通過將 16nm 制程的技術能力與高速特性相結合，華邦助力客戶在滿足嚴苛運算需求的同時，降低系統總成本。”

華邦 16nm 制程節點在 DDR4 制造成熟度上樹立新標桿，兼具速度、可擴展性與效率，特別適用于壽命較長的應用。基于此平臺，華邦目前正開發三款同制程產品，包括 CUBE、8Gb LPDDR4 及 16Gb DDR4，進一步擴展其新一代內存產品版圖。

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