本文為大家介紹氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高di/dt和dv/dt放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。
設計出色功效的電子應用時，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術的器件。與電子開關使用的傳統硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術具有祼片外形尺寸小、導熱和熱管理性能優異、開關損耗低等顯著優勢，非常適合工業、醫療、通信和車載應用電源、驅動器和逆變器等空間受限的應用。不過，設計需要考慮一些利弊關系，特別是開關損耗。例如，di/dt和dv/dt提高，開關速度加快，電路頻率振蕩放大，使噪聲成為重要考慮因素。
典型電路功能中，高邊（HS）和低邊（LS）MOSFET 用作開關器件驅動電感負載。在HS開關導通，LS開關關斷時，電流從電源VCC流向電感器Lo。反之，在HS開關關斷，LS開關導通時，電感器電流繼續從接地端同步流向Lo。導通/關斷狀態由柵極電壓定義，柵極電壓的變化影響柵極回路的充放電。開關時間和相關損耗取決于柵極電容通過柵極電流充放電的速度。柵極電流受驅動電壓柵極電阻和驅動電路整體寄生效應的影響（圖1a）。
圖1a-柵極驅動電路元件
為了避免同時導通/關斷，需要認真選擇柵極電阻解決方案，如高功率厚膜片式電阻、薄膜MELF或高功率背接觸電阻。這類解決方案不需要延長有效轉化為功率損耗的“死區時間”（HS和LS開關導通之間的時間間隔）（圖1b）。
圖1b-同步降壓電路，帶“死區時間”的驅動信號
選擇柵極電阻技術的基本考慮因素主要包括脈沖功率、脈沖時間和溫度以及穩定性。使用兩個柵極電阻時，通常建議導通柵極電阻值至少是關斷柵極電阻值的兩倍（圖1c）。重要的是注意關斷柵極電阻值，避免漏極（或IGBT情況下，集電極）電壓上升發生寄生導通。
圖1c-基礎柵極電路（獨立導通和關斷）
同時，還要考慮柵極電阻的阻值，阻值過高或過低都會發生損耗或振蕩。柵極電阻要求能夠承受短時間高峰負載，平均功耗隨頻率和占空比而增加。在功能上，電阻能夠對器件內部寄生電容放電并進行Miller充電。減小電壓過沖可以降低器件和驅動器的應力，減小寄生電感可以避免開關過程產生VGS振蕩。
為了盡量減少電路中的噪聲，縮短布線長度（減小寄生電感）很重要。因此，通常首選打線或表面貼裝柵極電阻。采用IGBR打線電阻的情況下，背接觸具有優異導熱性，并最大限度減小器件與PCB之間的熱梯度。在連接、外形尺寸和燒結能力方面，IGBR電阻在打線連接，小尺寸以及燒結能力方面的綜合性能可以讓其更靈活地內置于高功率半導體模塊或封裝。這樣電阻可以在布局上非常接近開關器件，從而減少部分寄生元件，有助于降低電路噪聲。
柵極電阻涵蓋多種技術解決方案，包括高功率厚膜片式電阻（a）、薄膜MELF電阻（b）和額定功率達4W的薄膜襯底電阻（c）。柵極電阻選型的其他考慮因素包括元件尺寸、精度、可靠性、元件與PCB之間的熱性能以及并聯寄生電感。
圖2. 柵極電阻類型
柵極電阻的阻值（RG）通常為1 ? 至 100 ?之間。選擇較低的RG值可以減少器件功耗（EON, EOFF），但也會導致驅動電流增加。寬帶半導體器件上升時間短，因此還要考慮柵極電阻的RF影響，平衡開關損耗與EMI（電磁干擾）性能。如想減少EMI，可使用更高阻值的電阻，延長開關上升時間，但這自然會增加開關損耗。
根據電源電路的電感和負載，不同電阻技術解決方案的最大工作電壓也是重要的考慮因素，因為開關過程會出現電壓脈沖。通過考慮所有這些因素，可以選擇適用的柵極電阻解決方案，滿足功效、可靠性和降噪方面的特定要求。
為滿足瞬態的高峰電流（可達到兩位數電流）和高頻（有時甚至瞬間達到MHz）的要求，工作溫度對電阻就顯得尤為重要。高溫會造成阻值漂移并且漂移會隨著時間增加。阻值的長期穩定性由器件結構決定。例如，與片式電阻的矩形電阻區域相比，MELF電阻的圓柱體電阻區域面積擴大了π倍，可顯著提高抗脈沖性能。NiCr之類穩定薄膜材料也具有出色的抗脈沖負載性能。在空間受限的設計中，電源開關的相對位置很重要，因為熱量可從電源開關流入PCB，從而影響柵極電阻的工作溫度。
如果您想充分利用寬帶隙半導體器件的功效優勢，需要考慮柵極電荷Qx、開關頻率、驅動峰值電流以及快速開關時開關的高準確性和穩定性的具體要求，設計最佳柵極驅動電路。正確選擇具有相應技術和器件結構的低阻值柵極電阻對于實現最佳電路效率至關重要。
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