英諾賽科反對，在美被判侵權EPC氮化鎵相關專利可能被禁

電子工程專輯訊 近日，關于英諾賽科（Innoscience）與宜普公司（EPC）的兩項包括氮化鎵技術在內的專利侵權案有了最終判決。美國國際貿易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）的裁定結果是，英諾賽科侵權宜普公司的其中一項專利。 

不過英諾賽科并不同意該判決，判決中提到的英諾賽科侵權EPC的294專利 ，英諾賽科認為，EPC的294專利是無效的。

2023年5月， EPC對美國聯邦法院與美國國際貿易委員會(ITC)提出訴訟，控告英諾賽科侵犯其四項基礎專利。

2024年7月8日，宜普公司發布公告稱，美國國際貿易委員會 (ITC) 裁定 EPC 的兩項關鍵專利有效，判定英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司英諾賽科美國公司侵犯了宜普公司其中一項專利（294專利）。對于宜普公司的另一項專利（508專利），英諾賽科在ITC的初裁中成功駁回了所有訴訟請求，裁定不存在侵權行為。

宜普公司的公告稱，“ITC的初步裁決認定宜普公司對Innoscience公司主張的兩項美國專利均有效。它還認定"（Innoscience）侵犯了美國專利第8,350,294號"，該專利是EPC的基礎專利，廣泛應用于多個行業。EPC的第二項專利，即第8,404,508號美國專利被認定有效，但Innoscience沒有侵權。委員會的最終裁定預計將于2024年11月5日發布。”

宜普公司表示，ITC 的初步裁定鞏固了 EPC 在寬禁帶半導體領域領導地位的重要里程碑，并可能導致美國在今年晚些時候禁止進口英諾賽科的侵權產品。

此前英諾賽科向中國國家知識產權局提出申訴，主張宜普公司包括氮化鎵在內的兩項核心技術專利無效，但中國國家知識產權局確認了宜普公司在中國的兩項對應專利的有效性，這兩項專利名分別為“補償門極MISFET及其制造方法”的專利（中國專利號ZL201080015425.X）、“增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管器件及其制備方法”的專利（中國專利號ZL201080015388.2）。

對于ITC在 294專利的初步裁定，英諾賽科將在7月19日前向ITC復審委員會提出上訴。美國國際貿易委員會的最終裁定預計在美國當地時間2024年11月5日公布。

據悉，過去15年里，宜普公司開發了200多項與氮化鎵相關的專利和150多種產品，其中包括快速增長的集成電路系列、符合汽車標準的器件和抗輻射器件。

半導體芯片可分為邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片和光電子/傳感器/分立器件。模擬類中有電源管理芯片，用于轉換、控制和分配電力。通用模擬芯片的最大市場是電源管理。碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導體產品，與傳統的硅基器件相比，這些器件能夠在更高的溫度和電壓下工作，效率和可靠性更高。

氮化鎵器件具有更高的效率、更快的開關速度、更小的尺寸和更低的成本，是一次重大飛躍。氮化鎵功率器件是自動駕駛汽車、醫療和通信設備、下一代快速充電器、無人機、衛星、數據中心、電動自行車、太陽能發電系統和仿人機器人等眾多應用不可或缺的組成部分。

宜普公司在這其中扮演著一個重要的角色，將為推動人工智能革命提供助力。

英諾賽科回應侵權案

英諾賽科始終堅持認為ITC初步判決的EPC的294專利屬于無效專利，并將向美國專利商標局提供更新的補充信息及材料，美國商標局將根據這些補充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出專利是否無效的最終裁定。

英諾賽科稱，有信心在與EPC的爭議中取得徹底勝利。

在公告中，英諾賽科表示，“英諾賽科在 ITC的初裁中徹底駁回了 宜普（EPC） 公司基于其508專利的所有訴訟請求。判決裁定英諾賽科在508專利的權利請求（主張的唯一權利請求）中不存在侵權行為。這是英諾賽科在美國國際貿易委員會（ITC）與EPC的爭議中取得的巨大成功。

根據 ITC的初步裁定，首席行政法官認為英諾賽科對EPC的508 專利不存在侵權行為，該專利涉及增強型 GaN 晶體管的形成方法。這意味著英諾賽科完全成功地戰勝了EPC基于其 508 專利提出的主張。

ITC法官裁定英諾賽科對EPC的294專利存在侵權行為。英諾賽科不同意行政法官的意見，原因是EPC的294專利是無效的。事實上，美國專利商標局（“USPTAB”）發起了一項針對294專利的多方復審程序，以四個不同的理由質疑 294專利的所有權利要求，并同意英諾賽科的無效論點。美國專利商標局針對294專利的多方復審無效決定將于 2025 年 3 月發布。

事實上，EPC 主張的508專利 和294專利目前都正在接受美國專利商標局的無效審查。294 專利的權利要求 1至12 和 508 專利的權利要求 1至5 被高度質疑來自于公開且被業界熟知的現有技術。英諾賽科 還向 美國專利商標局質疑了另外兩項 EPC的 專利，EPC 此前已向 ITC 主張這些專利，但后來決定撤回其主張。雖然 EPC 從 ITC 撤回了該兩項專利主張，但英諾賽科仍在美國專利商標局繼續對這些專利提出無效質疑。對于 EPC 最初主張的所有四項 EPC 專利，美國專利商標局認為：“ 英諾賽科很有可能在其針對EPC專利的無效請求中獲得勝訴”。通過初步決定，英諾賽科在美國專利商標局的多方復審無效程序中取得了 4：4 全勝的完美戰績。

ITC 及USPTAB的初步裁定進一步證實了 EPC 對英諾賽科的訴訟是錯誤及荒謬的。EPC在對英諾賽科的無理攻擊中逐漸陷入被動局面。在針對其所有四項專利的無效立案審查中，美國專利商標局的三名法官一致同意英諾賽科的觀點。在所有四項訴訟中，英諾賽科都闡明了 EPC 專利無效的多種原因及可證實其無效性的充分論點，對此，美國專利商標局完全認可并同意英諾賽科的觀點。后續，英諾賽科將向美國專利商標局提供更新的補充信息及材料，美國商標局將根據這些補充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出專利是否無效的最終裁定。

對于ITC在 294專利的初步裁定，英諾賽科將在7月19日前向ITC復審委員會提出上訴。本次調查的最終裁定日期為 2024 年 11 月 5 日。

英諾賽科有信心在與EPC的爭議中取得徹底勝利。“

英諾賽科與宜普公司的侵權案始末

英諾賽科與宜普公司之間的侵權案始于2023年5月25日，宜普公司向美國聯邦法院和美國國際貿易委員會提起訴訟，指控英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司侵犯其氮化鎵（GaN）技術專利。宜普公司主張其基礎專利組合中的四項專利受到英諾賽科的侵犯，并要求禁售英諾賽科的相關產品。

在訴訟過程中，宜普公司還指控英諾賽科招聘了兩名宜普公司的員工，并利用這些員工的技術知識推出了與宜普公司明顯相同的產品。宜普公司認為這些產品的關鍵性能指標與宜普公司的產品幾乎相同，甚至宣稱其產品與市場上現有產品“完全兼容”。

作為回應，英諾賽科公司針對這兩項宜普公司的中國專利向中國國家知識產權局提起了無效請求。

2024年4月2日，中國國家知識產權局確認宜普公司的名為“增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管器件及其制備方法”的專利（中國專利號ZL201080015388.2）的核心權利維持有效。

2024年4月30日，中國國家知識產權局確認“補償門極MISFET及其制造方法”的專利（中國專利號ZL201080015425.X）有效。

2024年7月8日，美國國際貿易委員會 (ITC) 裁定 EPC 的兩項關鍵專利有效，判定英諾賽科侵犯了宜普公司的294專利，508專利不存在侵權行為。

2024年7月9日，英諾賽科回應仍將堅持維護權益，英諾賽科不同意行政法官的意見，原因是EPC的294專利是無效的。

英諾賽科IPO之際，訴訟纏身

英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，截至2023年12月31日，產能達到每月10000片晶圓，實現了產業規模的商業化。截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。

據英諾賽科的招股說明書披露，英諾賽科以折算氮化鎵分立器件計，在2023年全球氮化鎵分立器件出貨量排名第一，市占率高達42.4%。截至2023年12月31日，英諾賽科以折算氮化鎵分立器件計的累計出貨量已突破5億顆，確立了其在全球氮化鎵出貨量中的領先地位。

在營收上，英諾賽科從2021年的6821.5萬元人民幣增加至2023年的5.92億元人民幣，收入復合年增長率高達194.8%。2023年，英諾賽科實現了近6億元的營收，同比增長335.26%。

不過，英諾賽科仍處于虧損狀態，2021年至2023年期間，英諾賽科凈虧損分別為33.99億元、22.05億元、11.01億元。經調整凈虧損（非香港財務報告準則計量）分別為10.8億元、12.76億元、10.15億元。

英諾賽科表示，公司持續虧損原因在于生產設備大幅折舊、大額研發開支、銷售及營銷開支的不斷增加。

英諾賽科于2024年6月12日正式向中國香港證券交易所遞交了IPO上市申請，聯席保薦人為中金公司和招銀國際。此次IPO的目的是為了募集資金，用于擴大氮化鎵晶圓的生產能力等項目。

募集資金的50%將用于擴大8英寸氮化鎵晶圓的生產能力，計劃從截至2023年12月31日的每月1萬片晶圓提升至未來五年內每月7萬片晶圓；募資資金的15%將投入于氮化鎵產品組合的研發與擴展，旨在進一步提升氮化鎵產品在終端市場的滲透率。

目前，英諾賽科在IPO之際，面臨EPC和英飛凌的知識產權侵權案的糾紛中。

英飛凌于2024年3月14日發布公告稱，在美國加利福尼亞州北區地方法院對英諾賽科提起一項關于氮化鎵（GaN）技術有關的專利侵權訴訟。

若英諾賽科面臨不利判決，可能會面臨禁止生產或銷售侵權產品的風險，或需支付相應的金錢賠償。