高性能存儲無疑將成為接下來 AI 應用升級中的重要話題,原本大量的冷數(shù)據(jù)隨著應用增多,開始轉(zhuǎn)向溫數(shù)據(jù),勢必加速 HDD 向 SSD 轉(zhuǎn)移,存儲數(shù)據(jù)可能將以每年 EB 級增長。

今年初,DeepSeek的橫空出世推動了 AI 產(chǎn)業(yè)進一步升級。當 GPU 算力需求得到空前釋放,業(yè)界開始嘗試將更多資源投入到其他關(guān)鍵硬件中,包括更強大的并行處理能力,以及更優(yōu)秀的存儲方案。高性能存儲無疑將成為接下來 AI 應用升級中的重要話題,原本大量的冷數(shù)據(jù)隨著應用增多,開始轉(zhuǎn)向溫數(shù)據(jù),勢必加速 HDD 向 SSD 轉(zhuǎn)移,存儲數(shù)據(jù)可能將以每年 EB 級增長。

與此同時,隨著生成式AI的迅猛發(fā)展,傳統(tǒng)的服務器架構(gòu)已難以滿足AI應用對存儲的海量需求,尤其是在高性能、高密度和節(jié)能方面。AI訓練和推理過程中產(chǎn)生的大量數(shù)據(jù),需要更高效的存儲解決方案來支持。

在這場存儲技術(shù)的變革中,鎧俠(KIOXIA)憑借其在 NAND 閃存領(lǐng)域的深厚積累,提出了一套全面的解決方案,旨在滿足 AI 時代對存儲的高性能、高密度和高能效需求。

雙軌戰(zhàn)略之:BiCS FLASH技術(shù)迭代

我們的雙軌戰(zhàn)略旨在通過前沿技術(shù)與產(chǎn)線優(yōu)化的結(jié)合,實現(xiàn)性能與成本的雙重突破。” 鎧俠株式會社首席執(zhí)行技術(shù)官(CTO) 柳茂知(Shigenori Yanagi) 在日前舉辦的MemoryS 2025峰會上發(fā)表主題為《后AI時代下的SSD市場愿景與關(guān)鍵技術(shù)》的演講時說道。

鎧俠株式會社首席執(zhí)行技術(shù)官(CTO) 柳茂知(Shigenori Yanagi)

他強調(diào),鎧俠的閃存技術(shù)路線圖分為兩個主要方向:一方面是基于前沿的CBA架構(gòu)(CMOS Bonded to Array,晶圓綁定架構(gòu))提升存儲密度與性能,另一方面是利用折舊產(chǎn)線優(yōu)化成本。這一雙軌戰(zhàn)略旨在實現(xiàn)成本降低的同時,以更高的性能支持規(guī)?;l(fā)展。

作為前沿技術(shù)的代表,鎧俠BiCS FLASH™系列在不斷演進。最新的BiCS10 通過CBA架構(gòu)實現(xiàn)存儲單元整合,在切換速度、單元密度、能效等方面表現(xiàn)突出。其順序讀取性能較上一代提升50%,寫入性能提升80%,并支持未來PCIe Gen6(2026年部署)及Gen7(2029年部署)接口。

柳茂知強調(diào):“BiCS10將于2025年發(fā)布,2026年進入量產(chǎn)階段,為數(shù)據(jù)中心提供更高吞吐量與更低延遲的存儲方案。”

BiCS9 則利用折舊設備和最新CBA工藝,適用于 PCIe Gen6,雖然密度略低,但成本優(yōu)勢明顯。

鎧俠去年發(fā)布的 BiCS8 閃存技術(shù)已經(jīng)展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。與上一代相比,BiCS8 的切換速度、讀寫性能以及電源效率都有了大幅提升。例如,SR 電源效率提高了 50%,SW 電源效率提高了 80%,順序?qū)懭胄阅芴岣吡?nbsp;50%。

柳茂知表示,這些改進使得BiCS8能夠在 PCIe Gen5 平臺上提供卓越的性能,為客戶帶來實實在在的好處,成為當前AI服務器部署的理想選擇。

雙軌戰(zhàn)略之:QLC 持續(xù)突破,成大容量存儲新選擇

生成式AI的爆發(fā)推動數(shù)據(jù)中心架構(gòu)向GPU服務器傾斜。柳茂知指出,與傳統(tǒng)服務器相比,GPU集群需匹配高密度、低功耗的存儲節(jié)點,而HDD因吞吐量不足逐漸被淘汰。“QLC SSD憑借位密度與能效優(yōu)勢,正成為AI服務器的標配解決方案。”

鎧俠認為,QLC(四電平單元)技術(shù)是滿足這一需求的關(guān)鍵。盡管傳統(tǒng)上QLC因耐久度(DWPD, 每日全盤寫入次數(shù))較低曾被質(zhì)疑,但鎧俠通過技術(shù)優(yōu)化證明,2025年QLC SSD的性能已超越2017年的TLC。

我們通過 BiCS8 技術(shù)將 QLC 的位密度提升 2.3 ,寫入能效比提高 70%,證明了 QLC 完全可以滿足 AI 存儲的核心需求。” 柳茂知在演講中展示了鎧俠第八代 BiCS FLASH 2Tb QLC 的技術(shù)突破,以11.5×13.5毫米封裝實現(xiàn)單顆4TB容量,并基于此推出全球首款122TB QLC SSD,適用于 AI 訓練和推理中的大容量存儲需求。

針對 QLC 耐久性的擔憂,鎧俠通過實際應用數(shù)據(jù)證明,0.3 DWPD 的 QLC SSD 可以滿足大多數(shù)企業(yè)客戶的需求,并且其耐久性遠遠超過 NL-HDD的0.05 DWPD。這一數(shù)據(jù)為 QLC 在企業(yè)級存儲中的廣泛應用提供了有力支持。

技術(shù)優(yōu)化讓QLC不再是‘妥協(xié)選項’,而是AI時代的效率引擎。” 柳茂知說道。

多種產(chǎn)品解決方案,滿足多樣化需求

基于上述技術(shù),鎧俠針對不同的應用場景和客戶需求,提供了多樣化的SSD產(chǎn)品組合。從企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心級的高性能SSD,到移動端和客戶端的高性價比SSD,鎧俠的產(chǎn)品覆蓋了廣泛的市場領(lǐng)域。

  • LC9 系列:高性能與大容量的結(jié)合

新一代鎧俠 LC9 系列采用 QLC 技術(shù),擁有高達 122.88 TB 的容量,支持 PCIe 5.0 和 NVMe 2.0,采用雙端口設計,適用于密集型讀取、大型加載和 AI 等應用場景。這一產(chǎn)品的推出,為 AI 服務器和數(shù)據(jù)中心提供了高效、可靠的存儲選擇。

  • XD8 系列:面向未來的 EDSFF 規(guī)范

在AI服務器中,QLC SSD可分層部署:上層GPU集群搭配高性能TLC SSD加速訓練,下層存儲節(jié)點則采用大容量QLC SSD處理數(shù)據(jù)存儲與檢索增強生成(RAG)。鎧俠推出的XD8系列EDSFF(Enterprise and Data Center Standard Form Factor)規(guī)格SSD,進一步通過E1.S設計提升數(shù)據(jù)中心存儲密度,滿足超大規(guī)模計算需求。

未來持續(xù)創(chuàng)新與市場布局

柳茂知表示,鎧俠在不斷推進現(xiàn)有技術(shù)的同時,也在積極布局未來的存儲技術(shù)。

  • 基于CBA的下一代 BiCS FLASH 

鎧俠的CBA技術(shù)是其閃存技術(shù)的一大亮點。通過將CMOS電路與存儲單元緊密結(jié)合,CBA技術(shù)不僅提升了存儲密度,還優(yōu)化了數(shù)據(jù)讀寫速度和能效。這一技術(shù)的應用,使得鎧俠的閃存產(chǎn)品在性能和成本之間取得了更好的平衡,為大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級應用提供了更具競爭力的解決方案。

據(jù)介紹,基于 CBA 技術(shù)的下一代 BiCS FLASH 已經(jīng)蓄勢待發(fā),計劃實現(xiàn)更快的 4.8Gb/s 速度(相對第八代提升 33%)、更高的位密度(大于 29Gb/mm²,提升 59%)以及更好的數(shù)據(jù)輸出能效(提升 34%),為 PCIe 6.0 和 7.0 做好準備。

  • PCIe接口演進

在接口技術(shù)方面,鎧俠緊跟PCIe接口速率的演進趨勢。從PCIe 3.0到即將面世的PCIe 7.0,鎧俠不斷推出支持最新接口標準的SSD產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝院颓罢靶浴F涞诎舜鶥iCS FLASH™產(chǎn)品已支持PCIe 5.0,為下一代AI系統(tǒng)的高速數(shù)據(jù)處理提供了堅實的基礎。

鎧俠預測,PCIe Gen5的商用窗口將持續(xù)至2027年,但Gen6樣品將于2026年面世。柳茂知呼吁客戶優(yōu)先部署Gen5方案以搶占市場先機:“PCIe Gen5的BiCS8 SSD已能提供顯著性能提升,等待Gen6并非最優(yōu)策略。

  • 存儲級內(nèi)存與 CXL 技術(shù)

鎧俠還在探索基于 BiCS FLASH 結(jié)構(gòu)的 XL-FLASH 存儲級內(nèi)存(SCM)與 CXL 的結(jié)合,旨在開發(fā)出功耗更低、位密度更高、讀取速度更快的存儲器,進一步提高存儲器利用效率并實現(xiàn)節(jié)能。

市場表現(xiàn)與戰(zhàn)略調(diào)整

鎧俠的財務表現(xiàn)也反映了其在 AI 存儲領(lǐng)域的成功。在 2024 財年,鎧俠的 SSD 及存儲業(yè)務營收持續(xù)增長,數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級 SSD 的收入同比增長了三倍,創(chuàng)下歷史新高。這主要得益于 AI 服務器的強勁需求以及傳統(tǒng)服務器的替換需求。

“AI 浪潮帶來的不僅是技術(shù)挑戰(zhàn),更是重塑存儲格局的機遇。” 鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總裁 岡本成之 在峰會上表示,“我們對 2025 年充滿信心,鎧俠將與中國客戶深度合作,共同推進存儲行業(yè)的快速發(fā)展。”

鎧俠電子(中國)有限公司董事長兼總裁本成之

盡管短期內(nèi)面臨傳統(tǒng)市場需求疲軟的挑戰(zhàn),鎧俠預計 2025 年下半年閃存市場將復蘇,并計劃擴大 BiCS8 的生產(chǎn)和銷售,以滿足 AI 和數(shù)據(jù)中心對存儲的持續(xù)增長需求。

專訪:來自高層的精彩觀點

會后,鎧俠多位高管接受了《電子工程專輯》等媒體的深度采訪,進一步闡述技術(shù)細節(jié)、市場策略及對行業(yè)趨勢的洞察。

由左至右分別是:鎧俠電子(中國)閃存顆粒技術(shù)統(tǒng)括部 總經(jīng)理 大久保貴史、鎧俠電子(中國)董事長兼總裁 本成之、鎧俠株式會社 首席技術(shù)執(zhí)行官 柳茂知、鎧俠電子(中國)副總裁 天野竜二、鎧俠電子(中國)閃存顆粒市場統(tǒng)括部 高級總監(jiān) 錢阿蒙(翻譯)

  • 關(guān)于技術(shù)創(chuàng)新

UFS 技術(shù)持續(xù)升級

鎧俠電子(中國)閃存顆粒技術(shù)統(tǒng)括部總經(jīng)理大久保貴史透露,鎧俠的車載 UFS4.0 產(chǎn)品去年首次取得業(yè)內(nèi) Automotive SPICE 2 級認證,這表明該產(chǎn)品具備滿足汽車廠家、Tier1 供應商嚴格要求的軟件開發(fā)及品質(zhì)標準的能力。目前,鎧俠正積極推動該產(chǎn)品在信息娛樂系統(tǒng)、智能駕駛艙系統(tǒng)、ADAS、自動駕駛等新一代車載應用中的廣泛應用。

對于移動端存儲,大久保貴史表示,隨著 AI 在移動設備上的搭載,對存儲設備提出了更高速、更高帶寬、更大容量的要求,而 UFS 產(chǎn)品恰好能滿足這些需求。此外,車載場景還對 UFS 的耐溫、適應性和安全性有特殊要求。為了更好地滿足這些不斷變化的需求,鎧俠計劃明年發(fā)布下一代 UFS5.0 產(chǎn)品。

NAND 閃存層數(shù)再創(chuàng)新高

鎧俠電子(中國)副總裁天野竜二介紹,目前鎧俠的主力 NAND 閃存產(chǎn)品為 112 層(BiCS5)。從 2025 年開始,鎧俠將逐步轉(zhuǎn)向 218 層(BiCS8)產(chǎn)品的生產(chǎn),預計到 2026 年 3 月末,BiCS8 產(chǎn)品將占到銷量的過半數(shù)。218 層產(chǎn)品目前在四日市工廠生產(chǎn),預計今年秋天將在北上工廠的第 2 制造樓開始生產(chǎn)。不過,332 層產(chǎn)品的具體生產(chǎn)時期尚未確定。

大久保貴史進一步解釋,鎧俠通過橫向縮小以及引進 CBA 技術(shù),實現(xiàn)了更小的尺寸和更高的密度。同時,會根據(jù)不同市場的需求,靈活調(diào)整產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)和投入策略。

  • 關(guān)于市場策略

數(shù)據(jù)中心與 AI 市場需求強勁

天野竜二表示,隨著中國和美國的大型科技公司加大對 AI 相關(guān)領(lǐng)域的資本支出,數(shù)據(jù)中心建設投入也隨之增加。鎧俠預計,2025 年 NAND 市場將實現(xiàn)超過 10% 的位增長。盡管上半年 PC 和移動設備對 NAND 閃存的需求不如預期,但從全年來看,數(shù)據(jù)中心對 NAND 閃存的需求非常強勁。企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心市場對 NAND 閃存的需求堅挺,預計到下半年,智能手機和 PC 對 NAND 閃存的需求也將恢復,加上數(shù)據(jù)中心持續(xù)強勁的需求,鎧俠認為今年下半年整個 NAND 市場的成長率會比較好。

平衡消費電子與企業(yè)級業(yè)務

面對智能手機與 PC 客戶庫存調(diào)整導致的短期需求疲軟,鎧俠電子(中國)董事長兼總裁岡本成之表示,鎧俠會根據(jù)市場需求做出相應調(diào)整,但目前沒有計劃進行大規(guī)模減產(chǎn)。由于企業(yè)級 SSD,特別是 AI 相關(guān)的存儲產(chǎn)品需求良好,鎧俠會充分滿足這一市場需求。隨著下半年消費電子市場的復蘇,尤其是 PC 和智能手機市場的恢復,鎧俠預計今年下半年整個市場將得到較好的恢復和成長。公司今年的產(chǎn)能會有增加,預計全年應用市場的增長在 10% 以上,前半段可能在 10% 到 15% 之間,公司會根據(jù)市場需求進行適當?shù)脑鲩L控制。

  • 關(guān)于產(chǎn)品布局

QLC 產(chǎn)品推進研發(fā)

大久保貴史指出,隨著AI 需求的不斷增長,存儲設備的容量需求也隨之提升。QLC的位密度較TLC提升約33%,適用于對容量要求更大的 SSD 等應用。鎧俠表示將推進 QLC 產(chǎn)品的研發(fā)工作,并會根據(jù) AI 需求的發(fā)展,考慮推出更大容量的 QLC 產(chǎn)品以滿足市場增長的需求。

鎧俠株式會社首席技術(shù)執(zhí)行官柳茂知補充,在 AI 服務器中,為了在有限的空間和電力消耗下充分發(fā)揮 GPU 性能,鎧俠正在通過研發(fā)和推廣 QLC等產(chǎn)品技術(shù),針對 AI 服務器的空間和電力限制,優(yōu)化解決方案,實現(xiàn) GPU 的高效利用。

XD8 系列 SSD 的競爭優(yōu)勢

柳茂知表示,鎧俠的 XD8 系列 EDSFF E1.8 SSD 面向數(shù)據(jù)中心市場,在支持 PCIe 5.0 的 NVMe EDSFF SSD 產(chǎn)品中具有很強的競爭力。XD8 所使用的主控是鎧俠的第二代和第三代版本,之前推出的 XD7P 產(chǎn)品也采用了同款主控,并且已經(jīng)得到了成功應用和充分驗證。XD8 主要面向云服務提供商(CSP)、英偉達 GPU 服務器的參考設計以及使用 GPU 的云存儲服務商等,能夠滿足他們在不同場景下的 SSD 需求差異。隨著面向 AI、云服務供應商等數(shù)據(jù)中心中使用的 PCIe Gen5 服務器的需求增加,鎧俠將不斷擴大 XD8 的銷路。

  • 行業(yè)趨勢與未來展望

DeepSeek 對存儲行業(yè)的影響

柳茂知認為,DeepSeek 大大降低了對 GPU 算力的需求,這也對存儲行業(yè)產(chǎn)生了新的影響。各種 AI 需求的擴大,使得對存儲設備 SSD 的需求也隨之增加。鎧俠期待 DeepSeek 的解決方案能產(chǎn)生新的需求。

大久保貴史進一步指出,通過開發(fā)各種大語言模型(LLM),不僅學習服務器,推理服務器對存儲設備、SSD 的需求也有望增加。為了滿足未來對計算機、存儲系統(tǒng)的需求,包括 XL - FLASH 在內(nèi),鎧俠還將推進 SCM(存儲級內(nèi)存)的研發(fā)工作。

應對 NAND 市場需求疲軟

岡本成之表示,去年下半年以來,存儲產(chǎn)業(yè)面臨增長疲軟的情況,尤其是 NAND 領(lǐng)域。受客戶庫存調(diào)整的影響,預計 PC、智能手機對存儲設備的需求暫時維持疲軟狀態(tài)。為了應對這一情況,鎧俠始終密切關(guān)注市場動向,根據(jù)需求調(diào)整生產(chǎn),并謹慎決定設備投資。另一方面,AI、服務器對 SSD 的需求保持堅挺。受 AI 需求推動,預計閃存的整體需求將從 2025 年下半年開始逐步恢復。

汽車存儲市場的增長點

關(guān)于汽車存儲市場,岡本成之表示,相較于其他半導體產(chǎn)品,車載存儲領(lǐng)域目前并未感覺到特別大的庫存壓力。隨著自動駕駛技術(shù)的不斷改進,車載用存儲設備的市場規(guī)模將不斷擴大,市場有望繼續(xù)發(fā)展。

AI 存儲的發(fā)展機會

中國市場的AI熱潮為鎧俠打開新增長極。岡本成之指出,DeepSeek等本土大模型的崛起,正驅(qū)動數(shù)據(jù)中心存儲需求升級。“CM7系列SSD已在國內(nèi)主流云平臺規(guī)模部署,下一步將面向客戶開發(fā)推廣QLC方案。”

岡本成之表示,在 AI 服務器中,對更大容量、更高速、高能效的 SSD 的需求日益增長。為此,鎧俠將持續(xù)推進存儲器、SSD 的研發(fā)工作,以滿足 AI 時代對存儲的需求。

柳茂知則強調(diào),鎧俠的“雙軌戰(zhàn)略”——前沿BiCS技術(shù)與折舊產(chǎn)線降本——將深度適配中國市場的多元化需求。“無論是AI算力集群還是智能駕駛,技術(shù)儲備均可快速響應。”

QLC 的發(fā)展進度與產(chǎn)能規(guī)劃

大久保貴史透露,QLC 的位密度比 TLC 高,適用于 SSD 等要求更大容量的應用程序。關(guān)于具體的產(chǎn)能、比率,在此不作評論,不過鎧俠將持續(xù)投入到 QLC 的研發(fā)工作中。其實不僅 QLC,包括現(xiàn)有的主流TLC 產(chǎn)品,都會根據(jù)客戶需求調(diào)整實際生產(chǎn)計劃,盡量滿足所有客戶需求。

結(jié)語

隨著 AI 技術(shù)的不斷發(fā)展,存儲技術(shù)的重要性愈發(fā)凸顯。鎧俠通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品優(yōu)化和市場布局,正努力在這場存儲革命中占據(jù)領(lǐng)先地位。未來,鎧俠將繼續(xù)與合作伙伴緊密合作,挖掘高效存儲的新潛力,為 AI 時代的數(shù)據(jù)存儲提供更優(yōu)質(zhì)的解決方案。

責編:Luffy
本文為EET電子工程專輯原創(chuàng)文章,禁止轉(zhuǎn)載。請尊重知識產(chǎn)權(quán),違者本司保留追究責任的權(quán)利。
閱讀全文,請先
您可能感興趣
通過穩(wěn)定先進制程路線圖、強化生態(tài)協(xié)同與技術(shù)創(chuàng)新,三星正試圖在日益激烈的全球晶圓代工競爭中重新奪回主動權(quán)。
該機構(gòu)表示,長鑫存儲當前IPO估值明顯過低,未能反映其盈利能力、行業(yè)地位或擴張軌跡。
SK海力士在文件中明確表示,此次赴美上市的核心目的是擴大投資者基礎,并“最終使其真正的公司價值得到正確評估”。
此次股權(quán)轉(zhuǎn)讓,標志著兩家企業(yè)在業(yè)務與股權(quán)上的徹底切割。
庫克特別指出,內(nèi)存和存儲芯片的價格都是公司面臨的嚴峻問題,尤其是DRAM市場,目前越來越多的資源被分配給AI服務器。
知情人士直言,核心在于AI需求的“爆發(fā)式”增長所帶來的持續(xù)性擠兌效應。
“通用處理器”這一術(shù)語一直被廣泛用于描述可運行各類軟件工作負載的CPU。在現(xiàn)代基于Arm架構(gòu)的系統(tǒng)級芯片(SoC)領(lǐng)域,這一稱謂仍被廣泛使用,但隨著系統(tǒng)復雜度不斷提升,我們有必要追問:這類器件在實際應用中,究竟有多“通用”?
隨著AI基礎設施分化為多層專用架構(gòu),CPU正成為智能體工作負載的編排層。
本屆WAIC期間,《2026全球AI商業(yè)落地價值洞察報告》重磅發(fā)布,并在大會的兩大高規(guī)格論壇上進行了重點展示。作為大會最受關(guān)注的產(chǎn)業(yè)研究成果之一,這份報告以“從技術(shù)爆發(fā)到價值兌現(xiàn)”為主線,系統(tǒng)梳理了全球AI產(chǎn)業(yè)的競爭格局與商業(yè)落地路徑。 镕銘微電子憑借在VPU賽道上的開創(chuàng)性地位與規(guī)模化商業(yè)落地能力,成功入選該報告的兩大核心榜單,與全球及國內(nèi)頂尖科技企業(yè)同臺亮相。
NVIDIA?已驗證?ST?的?12?kW?電源傳輸概念驗證板,實際上已進入生產(chǎn)測試階段。
點擊上方藍字談思實驗室獲取更多汽車網(wǎng)絡安全資訊7月23-24日,由AI基礎設施圈和談思科技主辦、東莞市集成電路行業(yè)協(xié)會作為支持單位的「CPO Asia 2026 亞洲光電共封裝技術(shù)創(chuàng)新大會」將在上海盛
出品|派財經(jīng)原創(chuàng)(ID:paicj314)文|李唐600億體量的能量飲料賽道,正掀起一波久違的入局熱浪。近日,元氣森林攜“冰能量”電解質(zhì)能量飲料登場,將減糖配方、電解質(zhì)補給與?;撬崽嵘窆π谟谝还?,一
專家 訪談PCIe? 6.0時代,重定時器成剛需數(shù)據(jù)中心解決方案業(yè)務部產(chǎn)品市場技術(shù)工程師Tam Do(杜澤心)在AI時代,當業(yè)界還在為GPU算力的指數(shù)級增長歡呼時,一個隱秘的瓶頸正在悄然浮現(xiàn)
點擊上方藍字談思實驗室獲取更多汽車網(wǎng)絡安全資訊7月20日,歐洲汽車制造巨頭Stellantis集團官方宣布人事變動,任命Matt VanDyke擔任Ram品牌首席執(zhí)行官,自7月20日起生效;任命Bra
作者簡介 PROFILE陳杰擼起袖子加油“GaN”氮化鎵晶體管內(nèi)部構(gòu)造簡介GaN 氮化鎵晶體管(HEMT)的基本結(jié)構(gòu)如下圖1所示,以 GaN/AlGaN 異質(zhì)結(jié)為主體,在AlGaN/ GaN
一個令人震驚的數(shù)據(jù):在移動互聯(lián)網(wǎng)幾乎無處不在的當下,國內(nèi)網(wǎng)吧卻開始逆勢增長。根據(jù)中國互聯(lián)網(wǎng)上網(wǎng)服務行業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù),過去一年,中國網(wǎng)吧經(jīng)營主體達12.26萬家,同比增長12.68%;營收規(guī)模突破1016.
2026年,AI大模型正將算力需求推向指數(shù)級增長。萬卡級集群正向十萬卡邁進,而傳統(tǒng)銅互連在帶寬、延遲和功耗上已逼近物理極限——一臺十萬卡AI集群中,超三成電力并非用于計算,而是消耗在數(shù)據(jù)傳輸上。“光進
韓國無晶圓廠系統(tǒng)半導體公司Global Technology Co., Ltd.(簡稱GT)7月21日宣布,已于20日獲得韓國交易所(KRX)KOSDAQ市場上市預備審查批準,主承銷商為韓國投資證券。
近期,聚燦光電(300708)、創(chuàng)維光顯、鴻佳電子披露產(chǎn)能關(guān)鍵節(jié)點:聚燦光電紅黃光砷化鎵項目一階段接近滿產(chǎn),創(chuàng)維光顯武漢基地163英寸Mini LED拼接屏產(chǎn)線滿負荷運行,鴻佳電子鹽城基地二期Mini
算筆賬一批十萬的呆料壓在庫存每月倉儲費?資金成本至少5k放半年就虧3萬有料單不知道怎么推廣?芯片超人已經(jīng)累計服務2.2萬用戶,打折清庫存,最快半天完成交易!找不到,賣不掉,價格還想再好點,都可以來找我