6月30日,氮化鎵功率半導體企業英諾賽科發布公告稱,其最大基石投資者——國際半導體巨頭意法半導體(STMicroelectronics)在原禁售期(6月29日)到期后,主動承諾未來12個月內不減持任何股份。根據公告,意法半導體目前持有英諾賽科12,592,100股H股,占已發行H股總數的約2.56%,占當前可流通H股總數的27%。

作為全球半導體行業的頭部企業,意法半導體的“鎖倉”承諾不僅是對其自身戰略布局的延續,更向市場傳遞了對英諾賽科技術實力和市場潛力的認可。此前,英諾賽科在氮化鎵領域的技術突破已獲得行業廣泛關注,包括全球首條8英寸硅基氮化鎵晶圓量產線的建成,以及全電壓譜系產品的商業化落地。
券商密集唱多,氮化鎵賽道高增長可期
除產業資本的堅定支持外,多家頭部券商近期亦對英諾賽科給出積極評價。
財通證券、招銀國際等六家機構在研報中一致給予“買入”評級。其中,招銀國際預測其2024—2027年收入復合增長率可達55.2%;國金證券則將2027年歸母凈利潤預期上調至2.38億元,同比激增265%。
券商觀點普遍聚焦于氮化鎵市場需求的爆發式增長。隨著AI算力、電動汽車、機器人等新興行業的快速擴張,氮化鎵憑借其高頻率、低導通電阻等特性,正加速替代傳統硅基器件。據弗若斯特沙利文數據,2023年氮化鎵功率半導體占全球功率半導體市場的0.5%,預計2028年將提升至10.1%。

從晶圓到終端全鏈布局,形成技術護城河
資本與機構的雙重認可,源于英諾賽科在氮化鎵領域的多維突破與硬核實力。
英諾賽科的競爭優勢在于其垂直整合的IDM模式(集成器件制造商),覆蓋氮化鎵產品的設計、制造、封裝及測試全流程。截至2024年6月底,公司已建成全球最大氮化鎵功率半導體生產基地,月產能達12,500片8英寸晶圓,較6英寸晶圓產線提升80%的晶粒產出效率,單器件成本降低30%。


英諾賽科連續兩年榮獲“AspenCore全球電子成就獎——全球最具潛力第三代半導體技術獎”。全球電子成就獎于行業而言是一項崇高的榮譽,各類獎項獲得提名的企業、管理者及產品均為行業領先者,充分體現了其在業界的領先地位與不凡表現
此外,公司研發投入持續加碼,全球累計專利及專利申請超750項,覆蓋芯片設計、晶圓制造及封裝可靠性測試等關鍵環節。其產品已廣泛應用于消費電子快充、新能源電池管理、汽車LiDAR系統及數據中心電源等領域。
今年3月底,英諾賽科還與意法半導體共同宣布簽署了一項氮化鎵技術開發與制造協議,雙方將基于該協議充分發揮各自優勢,提升氮化鎵功率解決方案性能和供應鏈韌性。

雙方達成聯合開發氮化鎵功率技術的共識,并在未來幾年內共同推動該技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域獲得廣泛應用的光明前景。此外,根據協議約定,英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區的前端制造產能生產其氮化鎵晶圓,而意法半導體也可利用英諾賽科在中國的前端制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同致力于拓展各自的氮化鎵產品組合和市場供應能力,并通過增強供應鏈布局的靈活性和韌性,滿足所有客戶對多樣化應用的需求。
從“小眾技術”到“主流選擇”
英諾賽科的氮化鎵產品生態正在快速擴展。公司披露數據顯示,2023 年,以折算氮化鎵分立器件出貨量計算,英諾賽科在全球氮化鎵功率半導體公司中市場份額排名第一,市占率達 42.4%。截至 2024 年 6 月,累計出貨量超過 8.5 億顆。

與此同時,英諾賽科的業務還在保持高歌猛進之勢。公司在汽車電子、數據中心、可再生能源及工業應用、人形機器人等多領域取得突破,2024年公司實現收入8.3億元,同比增長近40%,連續四年實現超高增長。

隨著技術迭代和成本下降,氮化鎵在工業電源、汽車電子等中高壓場景的滲透率有望進一步提升。值得注意的是,英諾賽科的客戶群體已從消費電子領域延伸至新能源和汽車電子等高壁壘賽道。例如,其與頭部車企合作開發的LiDAR電源方案已進入量產階段,而針對數據中心的高效電源模塊亦獲得海外客戶訂單。