銀河微電擬收購恒泰柯半導(dǎo)體100%股權(quán)，發(fā)力功率半導(dǎo)體高端領(lǐng)域

6月11日晚間，銀河微電（688689.SH）發(fā)布公告，公司正在籌劃通過發(fā)行股份購買恒泰柯半導(dǎo)體（上海）有限公司100%股權(quán)，并募集配套資金。經(jīng)初步測算，本次交易預(yù)計(jì)構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易，但不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組，不會導(dǎo)致公司實(shí)際控制人發(fā)生變更，亦不構(gòu)成重組上市。因交易尚處于籌劃階段，公司股票及可轉(zhuǎn)換公司債券（銀微轉(zhuǎn)債，118011）自2026年6月12日起停牌，預(yù)計(jì)停牌時(shí)間不超過10個(gè)交易日。

標(biāo)的方恒泰柯：中壓SGT MOSFET專精企業(yè)，手握700余款產(chǎn)品

恒泰柯半導(dǎo)體成立于2014年，是一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生產(chǎn)商，致力于中高壓半導(dǎo)體電源管理器件、功率半導(dǎo)體MOSFET（三極管）的設(shè)計(jì)、制造及銷售，產(chǎn)品覆蓋充電器開關(guān)、半導(dǎo)體充電器同步整流等場景。

該公司在中壓SGT MOSFET領(lǐng)域具有專精優(yōu)勢。官網(wǎng)顯示，恒泰柯已研發(fā)出國內(nèi)首創(chuàng)的SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，現(xiàn)有700余款產(chǎn)品，并取得多個(gè)SGT MOSFET、高壓超結(jié)（SJ）、IGBT和氮化鎵（GaN）的美國專利。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各類電源、鋰電池保護(hù)、無刷電機(jī)、新能源汽車（OBC、電控）等領(lǐng)域。

從發(fā)展歷程看，恒泰柯于2018年實(shí)現(xiàn)第二代SGT HHGrace MP Gen2 PSMC投產(chǎn)，同年完成A輪融資（投資方武岳峰資本）；2020年開發(fā)第三代HHGrace MP Deep SGT PSMC MP Gen3，并完成B輪融資（投資方光速中國、武岳峰資本）。2022年全年，公司銷售額達(dá)430萬美元。2023年3月，恒泰柯加入上海致能工業(yè)電子集團(tuán)，成為其旗下專營高端功率半導(dǎo)體器件的子公司。目前，恒泰柯注冊資本3969.46萬元，由上海致能恒芯工業(yè)電子有限公司100%持股。

在核心團(tuán)隊(duì)方面，恒泰柯團(tuán)隊(duì)人員均具備15年以上半導(dǎo)體研發(fā)和管理經(jīng)驗(yàn)。公司CEO王飛博士畢業(yè)于南加州大學(xué)，后加入AOS創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，目前負(fù)責(zé)MOSFET、SJ、IGBT的設(shè)計(jì)、產(chǎn)品、應(yīng)用及定義；Design負(fù)責(zé)人羅志云博士曾在Vishay Siliconix工作10年，從事中壓SGT MOSFET與SJ的前沿設(shè)計(jì)和研發(fā)。

收購方銀河微電：深耕分立器件，正向車規(guī)級與第三代半導(dǎo)體延伸

銀河微電長期深耕半導(dǎo)體分立器件領(lǐng)域，在小信號二極管、三極管、功率二極管、橋式整流器等品類上具備較強(qiáng)優(yōu)勢。近年來，公司積極向高端化延伸，布局車用LED燈珠、光電耦合器等光電器件、電源管理IC及第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）器件的產(chǎn)業(yè)化落地。

目前，銀河微電已逐步完善產(chǎn)品矩陣，開發(fā)出功率MOSFET、IGBT、寬禁帶第三代半導(dǎo)體功率器件、IPM模塊、ESD、TVS系列產(chǎn)品、功率整流橋、光電耦合器等器件類別。公司在近期互動平臺回復(fù)投資者時(shí)表示，未來將聚焦半導(dǎo)體分立器件主業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展車規(guī)級、SiC、功率模塊等高端產(chǎn)品，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)，深化汽車電子、儲能等優(yōu)勢市場，并主動關(guān)注和評估潛在的整合機(jī)會。

業(yè)績方面，銀河微電2025年實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入10.50億元，同比增長15.46%，歸母凈利潤7990.47萬元，同比增長11.17%；2026年第一季度營業(yè)收入2.67億元，同比增長22.37%，歸母凈利潤1830.96萬元，同比增長200.15%。截至6月11日收盤，公司股價(jià)報(bào)46.82元/股，上漲9.26%，總市值60.35億元。

產(chǎn)品技術(shù)互補(bǔ) 

從業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)來看，此次收購具有明顯的產(chǎn)品技術(shù)互補(bǔ)性。銀河微電的傳統(tǒng)優(yōu)勢集中在小信號器件和功率二極管等相對成熟的品類，雖然近年來已逐步拓展至功率MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，但在中高壓功率MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT等核心功率器件的設(shè)計(jì)與制造能力上仍需補(bǔ)強(qiáng)。

恒泰柯半導(dǎo)體恰恰在這些領(lǐng)域具備深厚積累。其700余款SGT MOSFET產(chǎn)品、高壓超結(jié)（SJ）技術(shù)、IGBT及氮化鎵專利布局，可直接填補(bǔ)銀河微電在功率MOSFET和IGBT領(lǐng)域的產(chǎn)品短板。恒泰柯在新能源汽車OBC（車載充電機(jī)）、電控系統(tǒng)等應(yīng)用場景的技術(shù)儲備，也與銀河微電車規(guī)級產(chǎn)品戰(zhàn)略高度契合。

通過收購恒泰柯，銀河微電有望在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)從"小信號+功率二極管"向"全品類功率器件平臺"的躍升，完善其在MOSFET、IGBT、SiC/GaN等高端功率器件的多品類布局，增強(qiáng)對汽車電子、新能源、儲能等高增長下游市場的覆蓋能力。

功率半導(dǎo)體國產(chǎn)替代加速，并購整合成破局關(guān)鍵

從功率半導(dǎo)體市場整體表現(xiàn)來看，近年來新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)控制等下游需求持續(xù)擴(kuò)張，功率半導(dǎo)體作為電力電子系統(tǒng)的核心元器件，市場空間廣闊。其中，車規(guī)級功率器件、SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體以及IGBT、高壓MOSFET等高端產(chǎn)品，因技術(shù)門檻高、國產(chǎn)替代空間大，成為本土廠商重點(diǎn)突破的方向。

在這一背景下，單一廠商依靠自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)全品類覆蓋的周期較長、成本較高。通過并購具備特定技術(shù)專長的標(biāo)的，快速獲取成熟產(chǎn)品平臺、專利組合和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，成為功率半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)躍遷和品類擴(kuò)張的高效路徑。銀河微電此次收購恒泰柯，正是基于這一產(chǎn)業(yè)邏輯：以外延式并購補(bǔ)足內(nèi)生研發(fā)在高端功率器件領(lǐng)域的缺口，搶抓車規(guī)級與新能源市場的增量機(jī)會。

目前，銀河微電已與交易標(biāo)的全體股東簽署《股權(quán)收購意向協(xié)議書》，最終交易價(jià)格將以評估機(jī)構(gòu)出具的資產(chǎn)評估報(bào)告確認(rèn)的評估值為基礎(chǔ)，由交易各方協(xié)商確定。本次交易尚需提交公司董事會、股東大會審議，并經(jīng)監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)后方可正式實(shí)施。