在分立GaN HEMT器件的廣泛可用性之外，領先的GaN制造商還提出了集成GaN解決方案，這些集成解決方案在GaN的固有優勢的基礎上，有可能提供更好的性能。 ...

Diodes公司推出三款全新霍爾效應開關——AH1899A/B/S，在低供電電壓與極低靜態電流下工作，可延長移動設備與便攜設備的電池使用壽命。 ...

2024年4月9日至10日，歡迎蒞臨中國北京EDI Con2024 Pickering展位，展位號i5 …… ...

珠海鎵未來科技有限公司（GaNext）CTO兼IEEE?Fellow吳毅鋒發表了“氮化鎵功率器件應用的大跨度拓展——從PD快充到戶外儲能”的主題演講。 ...

Pickering Electronics宣布推出最新的大功率舌簧繼電器，額定功率高達 80w，以0.25英寸間距可緊密排布，稱為144系列。 ...

Molex莫仕首席執行官Joe Nelligan在接受《EE Times》獨家專訪時表示：“我們已將一些通常用于移動設備的技術應用到汽車領域，這是前所未見的狀況。” ...

DCFC 集成了多種器件，包括用于輔助電源、感測、電源管理、連接和通信的器件。另外，為了滿足各種電動汽車不斷發展的充電需求，必須采用靈活的制造方法，這也使設計變得更加復雜。 ...

清潔能源+儲能系統的模式對于推動可再生能源的發展及其廣泛部署至關重要。清潔能源包括太陽能和風能等可再生能源，通常因其間歇性而受到關注：太陽輻照度和風速都不是恒定不變 ...

本文想要分享一個為維修和測量脈沖轉換器而制作的設計。 ...

我又從Aliexpress購買到一款手電筒。與之前購買的其他款式的產品相比，這次的設計稍微好一些。手電筒造型獨特，看起來像個熒光燈。 ...

據時代全芯存儲技術股份有限公司官微發布通告，日前，經江蘇省淮安市淮陰區人民法院裁定，江蘇時代芯存半導體有限公司（簡稱AMS）予以重組。北京時代全芯存儲技術股份有限公司（以下簡稱AMT）不再持有AMS股權，不再承擔AMS的運營和責任。 ...

由于資通訊產業成長趨緩，村田、三星近期公布去年第四季財報，營收、獲利均下滑，顯示市場仍處于供過于求，供應商面對價格壓力難以紓解，持續進行產能管控。 ...

各類直流電機與人們的現代生活息息相關，然而電機功率驅動卻一直面臨著各式各樣的挑戰，涉及到高效率、高負載功率以及低成本等各個方面。本文介紹一款微型家用玩具類電機的低成本驅動解決方案。為降低成本，作者采用了模擬分立元器件，提供了一種另類的低成本設計思路。 ...

在微電子所開發的A-Si TFT工藝PDK套件中，除薄膜晶體管、電容等常規器件，還包括電極、焊盤和通孔等定制單元。其它功能模塊包含…… ...

機器人可以說是目前最炙手可熱的話題，人形機器人和通用人工智能可以說是未來科技行業的制高點，也就在今年10月，工業和信息化部印發《人形機器人創新發展指導意見》，將人形機器人 ...

規劃投資2億元的四川洪芯微，也是是四川遂寧現代產業高端突圍項目之一，曾被看作打破了遂寧無“芯”的歷史。 ...

在先進集成電路制造工藝中, 納米環柵器件（GAA）正取代FinFET成為集成電路中的核心器件。 ...

由于全球經濟環境充滿變量，OEM及ODM均保守看待市況，預估2024年MLCC需求量將微幅上升3%，約43,310億顆。 ...

由于電子器件的頻率和性能不斷提高，要求與之匹配的二極管必須具備恢復時間短，反向恢復電流小和軟恢復等特點。而快恢復二極管(FRD)因具備上述特點而被廣泛應用。本文簡要介紹快恢復二極管的反向恢復過程，及基于TCAD軟件工具采取一系列方法優化恢復二極管的反向恢復，使其能夠實現快速而軟的恢復。 ...

由于光耦合器本身存在的限制，TI（德州儀器）最近宣布推出光耦仿真器，基于二氧化硅的隔離勢壘，避免了傳統光耦基于LED結構的諸多問題，據說壽命超過了40年... ...

本文為大家介紹氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高di/dt和dv/dt放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優缺點。 ...

在不斷發展的汽車、可再生能源和工業應用中，工程師將能夠借助?SiC?器件的特性，解決功率密度和散熱方面的諸多挑戰。憑借?1700V?系列?SiC?MOSFET?和二極管，安森美滿足了市場對具有更高擊穿電壓的器件的需求。此外，安森美還為新興的太陽能、固態變壓器和固態斷路器應用開發了?2000V?SiC?MOSFET?技術。 ...

羅姆在最近的PCIM Asia展會上，展示了最新的碳化硅與氮化鎵新品，尤其是EcoGaN品牌的GaN HEMT器件，以及前不久才發布的Power Stage IC——后者有可能會成為市場爆款。 ...

該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為75mΩ和49mΩ。此外，3nC和5.4nC的總柵極電荷和低寄生電容確保晶體管具有最小的導通/關斷能量損耗。 ...

雖說市場仍處在下行期，但在前不久慕展的TDK展位上，我們和現場工作人員聊了聊，看到了一些新的市場熱點…… ...