國際頂尖學術期刊《自然》同時上線了復旦大學兩項重大科研成果…… ...

這一變動不僅標志著格力電子元器件公司管理層的重要調整，也預示著公司未來發展戰略的新方向。 ...

這一成果標志著芯片技術首次從“硬質塊體”邁向“柔軟纖維”，為未來智能織物、腦機接口、虛擬現實等新興產業提供了全新的技術支撐。 ...

VisIC公司CEO?DR.Tamara?Baksht女士表示，作為獲得現代汽車集團B輪投資、并在全球氮化鎵功率器件領域占據技術高地的創新企業，VisIC正以獨特的D型氮化鎵(D3GaN)技術為核心，在電動車與AI數據中心兩大高價值賽道持續發力。 ...

該工藝線預計2026年6月正式通線，第三季度實現等效硅基90納米CMOS制程，用于Mb級存儲器和百萬門級邏輯電路，并計劃在2-3年內達到等效硅基5納米乃至3納米性能，4年內展示等效硅基1納米解決方案…… ...

朱磊在微博中配文："抄得挺像的，下次別抄了@創維集團。"這一言論迅速引發行業關注，將空調市場技術路線競爭與品牌傳播策略推向風口浪尖。 ...

此次合作拓展了安森美功率產品組合，涵蓋面向AI數據中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵（GaN）解決方案。 ...

按照簡報的說法，“Pax Silica”是一種新型的國際組織和伙伴關系，旨在聯合擁有世界上最先進技術公司的國家，以釋放人工智能新時代的經濟潛力。 ...

高能效GaN功率晶體管集成技術，為白色家電和工廠自動化電機驅動器量身定制。 ...

頂部冷卻（Top-cool）封裝為電動汽車、太陽能基礎設施和儲能系統帶來卓越的散熱性能、可靠性及設計靈活性 ...

此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署 ...

此次合作將整合安森美的系統集成、驅動技術及封裝專長，與英諾賽科在氮化鎵晶圓制造及高產能生產領域的領先優勢，旨在更快地向市場推出高性價比、高能效的解決方案，加速氮化鎵技術的規模化應用。 ...

更高的功率密度也使得功率模塊的熱管理成為關鍵挑戰。 ...

先進封裝面臨的最大挑戰并非技術本身，而是材料參數的準確性和模型的準確性。先進封裝的核心挑戰在于材料參數的準確性和模型的準確性。除通過長期的、嚴謹的實驗驗證外，沒有其他捷徑可走。 ...

隨著硅基晶體管技術的功率密度、擊穿電壓和開關頻率接近理論極限，依靠傳統硅基MOSFET和IGBT晶體管提升電機驅動性能變得越來越難。在高壓電機控制應用中，電氣特性更為優異的GaN晶體管成為MOSFET和IGBT的有效替代方案。 ...

在“雙碳”目標與能源危機的雙重壓力下，從電動汽車的續航焦慮，到數據中心的能耗瓶頸，再到人形機器人對輕量化與敏捷性的極致追求，傳統的硅基功率器件已逼近其物理極限。 ...

作為西北地區首條硅光中試線，8英寸硅光平臺的正式通線，不僅填補了區域硅光芯片中試領域空白，更成為陜西“追光計劃”實施以來的標志性成果…… ...

安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿 ...

這些項目均依據2021年通過的《兩黨基礎設施法》獲得聯邦資助，資金來自國會授權。 ...

瑞薩基于GaN的電源解決方案特別適用于此類應用場景，支持高效且密集的DC/DC電源轉換，工作電壓范圍覆蓋48V至400V，并可通過選配疊加至800V。 ...

此次合作中，英諾賽科將提供基于其InnoGaN?技術的高壓GaN FETs，為800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案，構建全鏈路高效轉換系統。 ...

該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構；新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 ...

盡管目前三星在其EUV產線上尚未普遍使用防護膜，但隨著制程不斷微縮，防護膜的必要性日益凸顯。 ...

據介紹，此次研發的“長纓（CY-01）”架構將二維超快閃存器件“破曉（PoX）”與成熟硅基CMOS工藝深度融合，實現了從原子級器件到功能芯片的跨越。 ...

羅姆以“Power Eco Family”為核心概念，將碳化硅（EcoSiC?）、IGBT（EcoIGBT?）、MOS（EcoMOS?）和氮化鎵（EcoGaN?）四大產品群整合展示，彰顯了其在功率半導體領域的全面布局和深厚實力。 ...