這是繼今年6月長鑫存儲與騰訊簽署價值超過200億元人民幣的長期供應協議后，又一筆來自國內互聯網巨頭的重大合作。
7月25日消息，據路透社援引三位知情人士報道，中國存儲芯片制造商長鑫存儲（CXMT）本月與字節跳動簽署了一份為期五年、價值超過70億美元（約合474億元人民幣）的內存采購協議。
這是繼今年6月長鑫存儲與騰訊簽署價值超過200億元人民幣的長期供應協議后，又一筆來自國內互聯網巨頭的重大合作。
據知情人士透露，該協議涵蓋的內存類型尚未公開披露，但體現了長鑫存儲在全球存儲芯片供應緊張背景下的客戶選擇權和議價能力。字節跳動作為全球領先的互聯網科技公司，其AI大模型訓練、云計算平臺、推薦算法及視頻處理業務均需要持續消耗大量存儲資源。穩定的國產DRAM供應，已成為其AI基礎設施建設的重要組成部分。
對此消息，字節跳動與長鑫存儲雙方暫時均未作出官方回應。
長鑫科技今日科創板上市
就在協議消息傳出之際，長鑫科技將于7月27日正式在上海證券交易所科創板掛牌上市。
本次IPO發行價格為8.66元/股，超額配售選擇權行使前發行后總股本為668.81億股，對應發行市值約5791.88億元，預計募集資金579.19億元，成為2026年以來A股規模最大的IPO，也是科創板史上第二大IPO，僅次于中芯國際的532億元募資規模。
7月16日，長鑫科技正式開啟新股申購，網上發行有效申購戶數達942.88萬戶，有效申購股數為8169.20億股。回撥機制啟動后，網上發行最終中簽率為0.47141739%，位居年內新股首位。網上、網下整體棄購比例僅0.17%，市場申購熱度較高。
長鑫科技募集資金凈額具體投向包括三大板塊：存儲器晶圓制造量產線升級項目總投資75億元，全額使用募資；DRAM存儲器技術升級項目總投資180億元，其中募資投入130億元；前瞻技術研發項目投資90億元，全額使用募資。
公司表示，募資完成后將加速擴產，2026年底產能提升至35萬片/月，2028年目標月產50萬片，持續縮小與海外三巨頭產能差距。
上半年有望抹平全部累計虧損
長鑫科技成立于2016年，總部位于安徽合肥，是中國規模最大、技術最先進、布局最全的DRAM研發設計制造一體化企業。按2025年第四季度DRAM銷售額統計，其全球市場份額已增至7.67%，位列全球第四、中國第一。
業績方面，長鑫科技2022年至2024年連續虧損，累計虧損約366.5億元；2025年扭虧為盈，歸母凈利潤18.75億元。進入2026年后業績爆發式增長：一季度營收508億元，同比增長719.13%；歸母凈利潤247.62億元，同比增長約1688%。
公司預計2026年上半年營收1100億元至1200億元，同比增長612.53%至677.31%；歸母凈利潤500億元至570億元，同比增長2244.03%至2544.19%，有望抹平成立以來的全部累計虧損。
行業分析機構SemiAnalysis今年6月預計，長鑫存儲2026年全年收入可能超過500億美元（約合3391.52億元人民幣），市場份額將從2025年的9%提升到2027年的12%。
月產有望突破60萬片，2030年前或超美光
長鑫存儲正在上海和安徽合肥建設兩座新工廠，同時與有關部門就建設第三座工廠進行磋商。這些項目全部完成后，長鑫存儲的產能將增加一倍以上，月產能超過60萬片晶圓。一位知情人士表示，如果工廠建設、設備安裝和產能爬坡均按計劃推進，長鑫存儲的晶圓產能可能在2030年前超過美光。
目前，長鑫科技已實現DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5/5X全系列DRAM產品量產，核心產品技術達國際先進水平，覆蓋服務器、移動設備、智能汽車等主流市場。公司已建成合肥、北京三座12英寸晶圓工廠，當前月產能28萬至30萬片，產能利用率常年穩定在95%以上。
長鑫存儲LPDDR5X和DDR5
存儲上行周期，國產替代加速
長鑫存儲的發展路徑，反映出中國半導體產業從"技術追趕"向"產業規模化"的轉變。根據長鑫科技招股書，騰訊、阿里云、字節跳動、聯想和小米均被列為其主要客戶。騰訊和字節跳動接連簽署長期協議，實際上是國內大型互聯網企業加快鎖定國產服務器內存供應。
市場研究機構Counterpoint數據顯示，2026年一季度長鑫科技手機DRAM市場份額為19.1%，僅落后美光0.6個百分點；國內云廠商國產DRAM采購比例從2024年不足8%提升至2026年26%，供應鏈安全韌性顯著增強。
全球存儲市場正經歷由AI算力需求爆發驅動的深刻結構性變革。世界半導體貿易統計組織（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將增長逾25%，達到9750億美元，其中存儲芯片與邏輯芯片有望再次領跑市場，同比增幅均超30%。
AI服務器不僅需要大量高帶寬存儲（HBM），同時也需要大規模服務器DRAM作為數據緩存和運行空間。長鑫科技采取差異化"跳代研發+換道超車"戰略，依托DUV深紫外光刻實現高密度存儲制造，繞開EUV光刻機管制壁壘，同時布局后HBM時代全新技術賽道。
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